掺杂剂造句

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预料其它对折射率的影响来自掺杂剂以及电光效应。
最后,研究了以rubrene作为辅助掺杂剂的有机红光发光器件,由于使用
金刚石类超薄膜的力学性能和表面性质与掺杂剂对它的影响
掺硼碜磷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程
半导体工艺材料的检验.运载气体和掺杂剂气体中杂质的
分析( oes )显示两种掺杂剂对材料的形成和性能影响不同，并得出了一些有指导意义的结论。
分析了k _ 4fe ( cn ) _ 6掺杂物作为一种浅电子陷阱掺杂剂对于提高光电子寿命、改善感光性能的作用机理。
摘要以盐酸为掺杂剂，过硫酸铵为氧化剂，在棉织物表面采用现场吸附聚合法生成一层导电聚苯胺，由此设计出一种具有良好电磁屏蔽效能的织物。
掺杂剂n _ 2o的流量对薄膜的结构有很大影响，随着流量的增大，锐钛矿相tio _ 2逐渐向金红石相转变，金红石晶体的颗粒尺寸也不断减小。
Srtio _ 3晶粒生长和半导化受到多种因素的影响，诸如掺杂剂的种类和含量、 ti / sr比、烧结温度等，这些因素是相互影响、相互作用的。
用掺杂剂造句挺难的，這是一个万能造句的方法
文摘:本文从合成条件、掺杂剂、掺杂条件等不同角度出发，研究了聚苯胺的电导率变化规律，并对其介电特性进行了初步的测试分析。
其次讨论了制备塑料光纤的主要原料mma的精制方法，研究了填料塔两级精馏、动态熔融结晶及熔融结晶-精馏耦合工艺，提出用分子蒸馏法提纯掺杂剂的设想。
1 .用化学直接氧化法在乙腈溶液中,以高氯酸为掺杂剂制备了聚联苯胺,用循环伏安,交流阻抗,直流充放电对其电容行为进行了研究,聚联苯胺电极比电容为150f / g 。
本论文在过去研究工作的基础上，以水?二甲苯为分散相、磺基水杨酸为掺杂剂、采用乳液聚合法合成了电导率达4 . 2s ? cm ~ ( - 1 )的聚苯胺。
研究了各生长条件如衬底温度、前驱体溶液浓度、衬底类型等参数对zno薄膜性能的影响。在国际上首先实现了用氨水作为掺杂剂掺杂制备p型zno薄膜，并研究了其掺杂机理及光学、电学性能。
本文深入研究了该方法在多种光纤中写入新型长周期光纤光栅，并研究了其在edfa中的应用，取得了一些创新性研究成果，主要工作和成果总结如下： 1 、分析了高频co2激光脉冲写入长周期光纤光栅方法的机理；系统分析了光栅的形成机理，并把其归结为残余应力释放、密度变化和掺杂剂热扩散，本文认为我们这种方法写入的光栅主要是因为残余应力释放而形成的。
首次系统地研究了聚并苯导电材料作为双电层电容器的电极活性材料时，在水系和非水系电解质中的容量及库仑效率。用化学方法合成可溶性酚醛树脂，加入的zncl _ 2在聚并苯的制备过程中既是成孔剂，使在处理的材料中形成三维网状微孔，同时它又是微孔控制剂，形成能被bf4 -等体积较大的掺杂剂所掺杂的疏松结构。
本论文的研究工作主要集中在作为锂离子电池正极材料的层状锂镍基氧化物上，包括以下几个方面： 1溶胶凝胶法( sol - gel )合成lini _ xco _ ( 1 - x ) o _ 2的研究与固相合成法相比，溶胶凝胶法合成lini _ xco _ ( 1 - x ) o _ 2煅烧温度低，产物颗粒均匀一致，经过xrd的测试过后，结果表明750下烧结6 8小时，即可得到单相产物；烧结温度，掺杂剂的种类及掺杂剂量均对产物物相的形成产生影响，并对产物的结构产生影响。
在实验室条件下以ticl _ 4和o _ 2为先驱体，采用常压化学气相沉积法( apcvd )制备得到具有一定光催化性和亲水性的tio _ 2薄膜，并且以n _ 2o作为掺杂剂，对薄膜进行了n的掺杂，在一定程度上提高了薄膜可见光照射下的光催化性和亲水性。
这四种掺杂剂都不同程度的提高了材料的热电性能，但只有掺la能够很好的改善材料的性能，而且掺杂量不是越大越好，而是表现出有一个最优掺杂的限度。