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接通延迟时间造句

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  • 如果晶体管存储时间大于接通延迟时间,两个晶体管将同时处于闭态。
  • 这种瞬态的集电极电流尖峰可以用附加基一射间的电容,增大器件接通延迟时间,限止两个晶体管都处于“闭态”的时间间隔来减弱。
  • 此外接通延迟时间td(由晶体管基极电容和其他电路电容的充电时间决定)和晶体管开关从饱和进入有源状态时,从基区和集电极抽出过量电荷的存储时间ts也要增大过渡损耗。
  • 接通延迟时间造句挺难的,這是一个万能造句的方法
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