扩散工艺造句

• L 。若进一步改善铝背场及扩散工艺条件，有望达到14的效率。
• 重点介绍了目前开管ga扩散工艺的发展现状和开管扩镰晶体管负阻效应的研究现状。
• 克服了铌酸锂光开关制作过程中ti扩散工艺、 ti膜提浮工艺、电极套刻和抛光工艺等难题，为进一步进行铌酸锂器件的研究打下了坚实的基础。
• 随着掺杂工艺的不断发展，高反压晶体管基区的形成经历了扩硼工艺、硼铝涂层扩散工艺、闭管扩镓工艺到开管扩镓工艺的发展。
• 在平面工艺初期，由于b在硅中的固溶度、扩散系数与n型发射区的磷相匹配， sio _ 2对其又有良好的掩蔽作用，早被选为npn硅平面器件的理想基区扩散源，但b在硅中的固溶度大( 1000时达到5 10 ~ ( 20 ) ，扩散系数小， b在硅中的杂质分布不易形成pn结中杂质的线性缓变分布，导致器件不能满足高反压的要求，随之又出现了硼铝涂层扩散工艺和闭管扩镓工艺，前者会引起较大的基区偏差，杂质在硅内存在突变区域，导致放大系数分散严重，下降时间t _ f值较高，热稳定性差；后者需要难度较大的真空封管技术，工艺重复性差，报废率高，在扩散质量、生产效率诸方面均不能令人满意。
• 质子交换与传统的钛扩散工艺相比制作十分简单，制备的波导具有较高的折射率增量、较小的波导损耗、较强的抗光折变能力，不但能大大降低成本而且还可以提高性能，但是质子交换波导器件目前尚未成熟。

• 扩散工艺的英语：diffusion process
• 扩散工艺的日语：かくさんしょり かくさんこうてい