悬浮区熔法造句

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因此，区熔法又称为悬浮区熔法。
目前悬浮区熔法制备的单晶硅仅占有很小市场份额。
悬浮区熔法的熔体不与容器接触，用此法生长高纯硅单晶。
，然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。
悬浮区熔法是在20世纪50年代提出并很快被应用到晶体制备技术中。
单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅，然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。
单晶硅片的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅，然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。
在悬浮区熔法中，使圆柱形硅棒固定于垂直方向，用高频感应线圈在氩气气氛中加热，使棒的底部和在其下部靠近的同轴固定的单晶籽晶间形成熔滴，这两个棒朝相反方向旋转。
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其他语种

悬浮区熔法的英语：floating zone melting
悬浮区熔法的日语：フロートゾーン法フロートゾーンほう

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