总剂量造句

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总剂量从沉降物抵达时开始就不断上升直到极限值（无限时间）。
材料抗总剂量辐照性能的影响
总剂量从沉降物抵达时开始就不断上升直到极限值（无限时间）。
摘要利用线性响应理论模型模拟c4007b 、 cc4007rh和cc4011器件受不同射线剂量率辐射时的总剂量效应。
外太空辐射环境主要以三种方式影响cmos器件：总剂量辐射效应( tid ) ，单粒子翻转效应( seu )和单粒子闩锁效应( sel ) 。
将3天中锌(镉)递增组与锌(镉)单独注射组中所注射的锌(镉)总剂量相等的两组比较，可发现，锌(镉)递增组所产生的mt多，且两者间差异显著( p 0 . 05 ) 。
在研究中，我们将降低辐射效应的设计方法应用到门阵列设计中，获得了华晶上华半导体有限公司采用0 . 6 m的cmos工艺生产的集成电路样片，具有100krad ( si )的抗总剂量辐射能力。
结果在放射总剂量相同时，冲击治疗组比常规治疗组效果出现早，完全缓解率高，并且毒副作用不增加；但两组比较长期生存率无明显差异。
明确的放化疗后无论是选用优化放疗加大总剂量，还是在细胞毒素或敏感放疗剂量中加用方便并且毒性小的化疗药物，似乎都能提高局部控制和生存期。
研究结果表明，辐射响应与吸收剂量成线性关系时，在实验室选用任一特定剂量率进行总剂量辐射和辐照后室温退火，可以通过线性响应理论模拟其它剂量率辐射下的总剂量效应。
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该模型物理意义明确，参数提取方便，适合于低辐照总剂量条件下的mos器件与电路的模拟。并进一步讨论了mosfet的辐照敏感性。结果表明，尽管pmos较之nmos因辐照引起的阈值电压漂移的绝对量更大，但从mosfet阈值电压漂移量的摆幅这一角度来看，在低剂量辐照条件下nmos较之pmos显得对辐照更为敏感。
3 .例如，假若环境伽玛剂量率持续高达每小时1000微希沃特超过本底值3000倍，则在5小时内，因为环境伽玛辐射所引致的总剂量便可能达到上述的5000微希沃特。若环境伽玛剂量率每小时200微希沃特超过本底值600倍，则个人须持续受此辐射影响25小时，所受的总剂量方可达到上述5000微希沃特。
在此基础上，对bf _ 2 ~ +注入硅栅si sio _ 2系统低剂量率辐照效应进行了深入系统的研究，着重研究了bf _ 2 ~ -注入mos管阈值电压漂移( vth和vit 、 vot )与辐照剂量率、辐照总剂量、辐照温度、偏置电场、器件结构以及退火条件的依赖关系。