外延膜造句

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该方法工艺简单，外延膜组份易于调整和控制。
根据相律探索出相平衡形成母液法生长磅镉汞液相外延膜新的工艺方法。
LiAlO2和LiGaO2与GaN的外延膜的失配度相当小，这使得LiAlO2和LiGaO2成为相当合适的GaN的外延衬底材料。
因此，GaN材料及器件发展，需要寻找到与GaN匹配的衬底材料，进一步提高外延膜的质量。
在此基础上，他们又进一步在C 60单晶外延膜上掺杂碱金属，研制出掺钾C 60单晶薄膜。
目前主要从事薄膜太阳能电池，外延膜的生长，纳米复合梯度膜的制备，纳米材料等方面的研究。
利用此种方法，成功地生长出ｘ＝０．２１－０．２３，表面光亮，结构完整的碲镉汞液相外延膜。
用于GaN生长的最理想衬底是GaN单晶材料，可以大大提高外延膜的晶体质量，降低位错密度，提高器件工作寿命，提高发光效率，提高器件工作电流密度。
此外，6H-SiC具有蓝色发光特性，而且为低阻材料，可以制作电极，这就使器件在包装前对外延膜进行完全测试成为可能，因而增强了6H-SiC作为衬底材料的竞争力。
评价衬底材料要综合考虑衬底与外延膜的晶格匹配、衬底与外延膜的热膨胀系数匹配、衬底与外延膜的化学稳定性匹配、材料制备的难易程度及成本的高低的因素。
用外延膜造句挺难的，這是一个万能造句的方法
又由于6H-SiC的层状结构易于解理，衬底与外延膜之间可以获得高质量的解理面，这将大大简化器件的结构；但是同时由于其层状结构，在衬底的表面常有给外延膜引入大量的缺陷的台阶出现。
（国内从事SiC晶体研制的研究所和高校主要有中科院物理所、上海硅酸盐研究所、山东大学、西安理工大学、中国电子科技集团第四十六所等）另外设备厂商也开始支持SiC器件的生产：据日经BP社报道，10月14日在日本滋贺县大津市开幕的碳化硅国际会议“ICSCRM 2007”上，爱发科（ULVAC）公司宣布在05年推出支持SiC量产用离子注入设备的基础上，爱发科公司现已开始供应试验用的峰值温度约2000度的SiC高温退火设备，并正在进行SiC氧化设备的开发工作，该公司将供应除外延膜成膜装置以外的所有SiC装置。