型栅金属氧化物半导体晶体管造句

• 金属氧化物半导体场效应晶体管    哦， cmos （互补金属氧化物半导体）芯片使用金属氧化物半导体场效应晶体管（ mosfet ） ，显然它是一种fei （场效应晶体管） 。 利用亚阈值安伏特性测定由于氧化空穴和界面态产生的电离辐射感应金属氧化物半导体场效应晶体管阈电压偏移分量的标准试验方法
• 垂直型金属氧化物半导体    垂直型金属氧化物半导体晶体管
• 型金属氧化物半导体    垂直型金属氧化物半导体晶体管 电机教授：接吻是一种n型金属氧化物半导体间的闭锁(锁存；闩锁；锁上)现象。 Tio _ 2是n型金属氧化物半导体，是一种重要的无机功能材料，可用于制作电介质材料、光催化薄膜、减反射涂层、气敏传感器等。 tio _ 2薄膜具有优异的光催化性能，抗光腐蚀，在酸性条件下难溶，对光稳定，无毒等。
• 互补金属氧化物半导体    互补金属氧化物半导体集成电路 互补金属氧化物半导体随机存储器 计算机的互补金属氧化物半导体随机存取存储器 哦， cmos （互补金属氧化物半导体）芯片使用金属氧化物半导体场效应晶体管（ mosfet ） ，显然它是一种fei （场效应晶体管） 。 半导体器件.集成电路.第2部分:数字集成电路.第4节:互补金属氧化物半导体数字集成电路类规范.系列4000b和4000ub 半导...
• 互补对称金属氧化物半导体    互补对称金属氧化物半导体阵列
• 双扩散金属氧化物半导体    垂直双扩散金属氧化物半导体结构
• 金属氧化物半导体    互补金属氧化物半导体集成电路 金属氧化物半导体气敏元件.试验方法 互补金属氧化物半导体随机存储器 金属氧化物半导体气敏元件测试方法 互补对称金属氧化物半导体阵列 金属氧化物半导体气敏元件总规范 垂直双扩散金属氧化物半导体结构 金属氧化物半导体记忆器 计算机的互补金属氧化物半导体随机存取存储器 槽型栅金属氧化物半导体晶体管 垂直型金属氧化物半导体晶体管 槽型栅金属氧化物半导体...
• 金属氧化物半导体场    半导体分立器件.电力开关设备的金属氧化物半导体场效应晶体管 半导体分立器件.第8 - 4部分:电力开关装置用金属氧化物半导体场效应晶体管 哦， cmos （互补金属氧化物半导体）芯片使用金属氧化物半导体场效应晶体管（ mosfet ） ，显然它是一种fei （场效应晶体管） 。 利用亚阈值安伏特性测定由于氧化空穴和界面态产生的电离辐射感应金属氧化物半导体场效应晶体管阈电压偏...
• 金属半导体场效应晶体管    以液封直拉半绝缘gaas为衬底的金属半导体场效应晶体管( mesfet )器件是超大规模集成电路和单片微波集成电路广泛采用的器件结构，因此研究lec法生长si - gaas ( lecsi - gaas )衬底材料特性对mesfet器件性能的影响，对gaas集成电路和相关器件的设计及制造是非常必要的。
• 氧化物半导体    互补金属氧化物半导体集成电路 金属氧化物半导体气敏元件.试验方法 互补金属氧化物半导体随机存储器 金属氧化物半导体气敏元件测试方法 互补对称金属氧化物半导体阵列 金属氧化物半导体气敏元件总规范 垂直双扩散金属氧化物半导体结构 金属氧化物半导体记忆器 计算机的互补金属氧化物半导体随机存取存储器 氧化锌是一种-族宽禁带氧化物半导体材料。 槽型栅金属氧化物半导体晶体管 垂直型金属...
• 半导体晶体管    摘要近几年来，作为新一代半导体晶体管的有机场效应晶体管( ofet )在制备技术和器件性能上都取得了很大的进步，并引起了有机半导体领域研究人员的广泛关注。
• 绝缘栅双极型晶体管    绝缘栅双极型晶体管固体开关的研制 绝缘栅双极型晶体管模块.臂和臂对 电源变换器的功率开关器件采用现代电力电子功率器件igbt ( insulategatebipolartransistor ,绝缘栅双极型晶体管) ,控制系统以80c196mc单片机作为控制核心。 本文提出了一种基于dsp (数字信号处理器tms320f240 )的通用的三相间接变频电源系统，利用分段同步调制...
• 金属半导体场效应管    高功率电磁脉冲对砷化镓金属半导体场效应管的影响
• 晶体管，晶体三极管    TTL主要有BJT（Bipolar Junction Transistor即双极结型晶体管，晶体三极管）和电阻构成，具有速度快的特点。
• 晶体管晶体管逻辑    1975～1986年期间，在天光集成电路厂主持了发射极耦合逻辑集成电路系列、低功耗肖特基晶体管晶体管逻辑集成电路系列的研制和生产工作。 厂1979年获电子工业部颁发的超高速集成电路科技成果一等奖、超高速集成电路标准化一等奖；1982年获电子工业部颁发的低功耗肖特基晶体管晶体管逻辑集成电路科技成果一等奖和标准化一等奖。
• 栅氧化物    日益增长的信息技术对更高集成度、高速、低功耗集成电路的需求，驱使晶体管的尺寸越来越小，随之而来的问题是作为mos栅氧化物和dram电容介质的sio _ 2迅速减薄，直逼其物理极限。
• 以下的单栅场效应晶体管    半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管第一篇1ghz 5w以下的单栅场效应晶体管空白详细规范
• 半导体晶体    使晶片或半导体晶体的表面光滑的过程。 槽型栅金属氧化物半导体晶体管 垂直型金属氧化物半导体晶体管 摘要近几年来，作为新一代半导体晶体管的有机场效应晶体管( ofet )在制备技术和器件性能上都取得了很大的进步，并引起了有机半导体领域研究人员的广泛关注。 砷化锗镉晶体( cdgeas2 )是黄铜矿类半导体晶体中综合性能最优者,其非线性光学系数和远红外区透过率很高,但其在中红外...
• 双栅场效应晶体管    半导体分立器件. cs0558型砷化镓微波双栅场效应晶体管详细规范
• 多栅晶体管技术    多栅晶体管技术是一种新型电路结构技术。 而多栅晶体管技术是每个晶体管有两个或三个栅，从而提高了晶体管控制电流的能力（即计算能力），并降低了功耗，减少了电流间的相互干扰。
• 晶体半导体    半导体无机材料的检验.圆形单晶体半导体薄片表面结构 而且，这些材料之所以便宜，惟一原因是在制造晶体半导体设备时使用了无序性方法，而无序性降低了晶体太阳能电池的功效。
• 栅场效应晶体管    半导体分立器件. cs0558型砷化镓微波双栅场效应晶体管详细规范 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管第一篇1ghz 5w以下的单栅场效应晶体管空白详细规范 电子元器件质量评估协调体系.空白详细规范.半导体器件.分立器件.场效应晶体管.功率达5w和1ghz的单栅场效应晶体管空白详细规范
• 氧化物晶体    氧化物晶体是晶体家族中的重要分支，由于其具有优良的光学、电学和机械性能，被广泛应用于科学技术和工业的各个领域。
• 绝缘栅场效应晶体管    1964年研究出绝缘栅场效应晶体管。 这是一种利用超导沟道导电的绝缘栅场效应晶体管。 利用这种场效应制成的绝缘栅场效应晶体管(IGFET)可作为化学传感器。 《晶体管原理与设计》(第2版)全面系统地介绍半导体器件基本方程、PN结二极管、双极结晶体管和绝缘栅场效应晶体管的基本原理和工作特性，包括直流、功率、频率、开关、噪声等特性，以及器件的SPICE模型。
• 绝缘栅双极晶体管    绝缘栅双极晶体管固体开关技术研究 微机控制的绝缘栅双极晶体管逆变二氧化碳焊机 本文在分析了igbt (绝缘栅双极晶体管)特性的基础上，设计了一台容量为2kva 、频率为20khz的高频逆变电源。 轻型高压直流输电（ hvdclight ）技术是在传统直流输电基础上发展起来的一种新型输电技术，其主要部件是以绝缘栅双极晶体管构成的电压源换流器（ vsc ） 。 本文在全面分析同...