器件模拟造句

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本论文的工作主要包括器件模拟和实验两部分。
模拟实例表明器件模拟软件pisces完全适用于对ccd的模拟。
器件模拟部分主要讨论了模拟光通过刻面玻璃后,光的透过率情况。
摘要提出了一种基于二维器件模拟的深亚微米工艺外延型衬底的电阻宏模型。
文摘:针对半导体器件模拟中载流子方程两种基本算法在高注入条件下的不足，提出了一种混合算法。
此外，该宏模型结构简单，可以得到与器件模拟基本一致的模拟结果，并可以方便地嵌入spice中进行一定规模的电路模拟。
在本文中，通过使用二维器件模拟软件medici ，对sicge sic异质结的光电特性进行了模拟。
摘要采用adi与高阶紧致差分相结合的方法计算大型非对称稀疏矩阵，并实现了该算法在半导体器件模拟中的应用。
简要阐述了半导体器件模拟软件在新器件开发中的应用，对性能模拟扩展与工艺模拟集成的优势作了简述。
该宏模型通过器件模拟与非线性拟合相结合的方法建立，使衬底寄生参数的提取更加方便，同时保障了深亚微米电路特性的模拟精度。
用器件模拟造句挺难的，這是一个万能造句的方法
详细阐述了半导体器件数值模拟的模型、模型的基本方程，探讨了器件数值分析特有的边界条件及算法分析，具体说明器件模拟软件须解决的问题。
本论文研究了应用于光通信的平面波导光器件与液晶光器件，提出了一些新型的器件结构、器件模拟计算以及设计优化的新方法，解决了平面波导光器件与液晶光器件研制中的若干问题。
论文分析建立了4h - sicmosfet和mesfet器件的结构模型和物理模型，采用二维器件模拟软件medici对4h - sicmosfet和mesfet的输出特性进行了模拟分析，研究了温度和结构参数对器件特性的影响，表明两种器件的击穿特性均没有负阻现象，击穿电压分别达到85v和209v ，由此得到4h - sicmesfet最大功率密度可达到19 . 22w mm ；同时，研究了sic场效应晶体管的制作工艺，初步得到了一套制造sicmosfet器件的制造工艺流程，研制出了4h - sicmosfet器件。
利用已有的工艺模拟软件suprem器件模拟软件minimos及电路模拟软件pspice ，完成了响应表面拟合spice模型参数提取及数据转换等程序，形成一个可以进行工艺器件及电路分析和优化设计的tcad工具，并用于研究实验设计方法在ic优化设计中的应用。
本文首先介绍了国内外功率集成电路的发展状况，然后介绍了高压集成电路中的几种终端技术、 resurf效应、器件模拟的基本理论和medici器件模拟软件，最后对三种型号的高压功率器件的击穿特性进行了分析和计算机模拟，指出了影响器件电压的关键的物理和结构参数，并对这三种型号的器件进行模拟，得出的电特性曲线和参数基本上与公司给出的一致。
摘要利用高级二维器件模拟程序medici分析了多晶矽薄膜晶体管有源区的长度、体内陷阱、界面陷阱、栅氧化层厚度等几何参数及物理参数，并研究了这些参数对薄膜晶体管特性的影响。
在对半导体器件数值分析方法和手段有深入分析的基础上，以dos下的piscesii为内核，综合利用了vc + + ， fortran90 ， matlab等计算机语言，解决了混合语言编程的出现的如变量传递等多种难题，实现适用于三角形网格划分二维空间的插值算法，开发了可以在windows操作系统下运行的一半导体器件模拟软件，使得在windows下的器件模拟成为可能。
本次设计是在cadence和synopsys等eda设计工具上完成的，并进行了前端的verilog _ xl功能仿真验证和后端hspice的器件模拟，在完成整个设计流程后先后进行了两次mpw投片，其样片的测试结果达到了设计要求。
概述了半导体器件模拟软件的发展现状，分析了半导体器件的模型，研究了半导体器件模拟的基本方法和典型过程，分析了半导体器件发展的要求和几种器件模拟计算方式的比较及分布式器件并行模拟系统的必要性、可行性和现实意义。
微型硅基微波传输线是微波无源、有源器件及微波集成电路的重要构成基础，本文首先对其工作原理、器件模拟、结构参数设计、制备及散射参数测试进行较深入全面的研究，并进一步将微波传输理论应用于mems移相器，对移相器的结构参数、相移特性及可靠性等进行了分析。