反应离子束刻蚀造句

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1987年因1200条／毫米反应离子束刻蚀耀全息光栅获上海市科学技术进步三等奖。
层的组分、掺杂浓度、薄到几个原子层的厚度,生长效率高,适合大批量制作,反应离子束刻蚀能保证光栅几何图形的均匀性,电子束产生相位掩膜刻蚀可一步完成阵列光栅的制作。
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其他语种

反应离子束刻蚀的英语：reactive ion beam etching

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