反射物镜造句

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极紫外光刻（EUVL:Extreme Ultraviolet Lithography）原理实验早在80年代由日本H.Kinoshita提出并验证，EUVL利用波长13.5nm或11.2nm光源（Mo/Si或Mo/Be多层膜对该波长具有较高的反射率）、非球面反射物镜实现缩小投影曝光,由于波长的减小和使用非球面反射镜,EUVL作为实现45nm－22nm分辨率的优选光刻技术之一得到了广泛的重视。
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其他语种

反射物镜的英语：catoptric objective
反射物镜的日语：はんしゃたいぶつレンズ

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