双稳态触发器电路造句

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DRAM和SRAM的区别是：DRAM使用一个晶体管和一个电容存储一个bit，由于电容会漏电，因此必须周期性地充电以维持数据，优点是简单、便宜；SRAM则用6个晶体管（Nehalem则使用了8个晶体管以降低功耗）组成的双稳态触发器电路来存储一个bit，不需要周期性地充电，速度很快，然而占地面积大，耗电高，造价也高。
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双稳态触发器电路的英语：bistable trigger circuit

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