双倍数据速率造句

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移动双倍数据速率(Mobile DDR)，即将上市！
1998年SDRAM的后继产品为SDRAMⅡ（或称DDR，即双倍数据速率）的品种已上市。
双倍数据速率2存储器(DDR2)一直以球形网格阵列(BGA)封装方式供应。
不过，双倍数据速率2存储器(DDR2)速度明显快于双倍数据速率1存储器。
双倍数据速率1存储器(DDR1)存储器需2.5V的电压及4,8,16或32比特的总线带宽。
移动双倍数据速率(Mobile DDR)存储器的存储容量范围从64兆比特到1千兆比特。
反过来，与最初的双倍数据速率存储器相比，他们具有较长的等待时间(Latency)。
第一代双倍数据速率存储器采用薄型小尺寸封装(TSOP)或球形网格阵列(BGA)封装。
是Double Data Rate SDRAM的缩写(双倍数据速率)，它能提供较高的工作频率，带来优异的数据处理性能。
与双倍数据速率2存储器(DDR2)的最大区别：双倍数据速率1存储器(DDR1)存取和等待时间较短。
用双倍数据速率造句挺难的，這是一个万能造句的方法
双倍数据速率1存储器(DDR1)提供最高400兆赫(MHz)的传输速率，存储容量从256兆比特到1千兆比特。
移动双倍数据速率(Mobile DDR)256兆比特?512兆比特，x16/x32比特(bit)，球形网格阵列(BGA)，1.8V，扩展级温度。
除了GigE与USB2.0 w/phy集成之外，MPC8313E还提供32位的双倍数据速率(DDR1/DDR2)存储器控制器、16位局部总线和4个直接存储器访问(DMA)通道。
双倍数据速率1存储器(DDR1)128兆比特-512兆比特，薄型小尺寸封装(TSOP)/球形网格阵列(BGA)，x8/x16/x32比特(bit)，工业级温度。
双倍数据速率1存储器(DDR1)128兆比特-256兆比特，x16/x32比特(bit)，薄型小尺寸封装(TSOP)/x32比特(bit),球形网格阵列(BGA)，工业级温度。
双倍数据速率1存储器(DDR1)128兆比特-1千兆比特，x4/x8/x16/x32比特(bit)，薄型小尺寸封装(TSOP)/球形网格阵列(BGA)，工业级温度。
双倍数据速率1存储器(DDR1)128兆比特?512兆比特，x 8/x16/x32比特(bit)，薄型小尺寸封装(TSOP)/x32比特(bit),球形网格阵列(BGA)，工业级温度。
工作电压：3.3伏，2.5伏甚至低至与移动双倍数据速率(mobile DDR)相同的1.8V同步动态存储器使用较为节省空间的球形网格阵列(BGA)进行封装，接触区域在其下面。