单粒子翻转造句
- 例如在空间电子应用领域,单粒子翻转效应就成为困扰设计师的一个难题。
- 在重离子辐照下，测量器件单粒子翻转截面( )对重离子线传能密度( let )关系曲线，即- let曲线。
- 外太空辐射环境主要以三种方式影响cmos器件：总剂量辐射效应( tid ) ，单粒子翻转效应( seu )和单粒子闩锁效应( sel ) 。
- 本文提出了一种用计算重离子单粒子翻转截面的weibull函数，不必改变参数，估算质子引发的硅器件单粒子翻转截面的简便方法。
- 单粒子翻转（SEU）：星载计算机中最常见的错误，是由于高能粒子轰击双稳态单元，使原来记忆单元的0或1状态翻转，这种错误不是永久性的，也被称为软错误。
- 这些粒子有足够的能量，能在器件的灵敏区中沉积足够的能量和产生足够的电荷，当沉积的电荷超过临界电荷时，电路就产生了翻转，即单粒子翻转发生。
- 由于辐射导致的单粒子翻转效应seu （ singleeventupset ） ，使得航天计算机上的静态存储器sram中的数据可能出现小概率错误，这种错误若不及时进行纠正将会影响计算机系统的运行和关键数据。
- 我们采用的方法是用地面重离子加速器模拟实验和计算机模拟空间辐射环境进行单粒子翻转率预估计算。引发单粒子翻转的空间高能带电粒子环境包括银河宇宙线，太阳宇宙线和地球辐射带中的高能质子及重离子。
- 在本文设计中，采用双环保护结构，大大的降低了cmos集成电路对单粒子闩锁效应的敏感性；对nmos管采用环型栅结构代替传统的双边器件结构，消除了辐射感生边缘寄生晶体管漏电效应；采用附加晶体管的冗余锁存结构，减轻了单粒子翻转效应的影响。
- 利用本文编制的程序，着重研究了高能质子的辐射屏蔽问题、单粒子效应中的单粒子翻转seu 、强流质子束辐照材料引起的热?力学效应等问题，从而为以后的相关研究提供了数值模拟手段。论文的主要进展有：系统地总结分析了空间辐射环境的构成、特点及其可能产生的辐射效应。
- 用单粒子翻转造句挺难的，這是一个万能造句的方法
手机版