制造工艺流程造句
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- 论文分析建立了4h - sicmosfet和mesfet器件的结构模型和物理模型,采用二维器件模拟软件medici对4h - sicmosfet和mesfet的输出特性进行了模拟分析,研究了温度和结构参数对器件特性的影响,表明两种器件的击穿特性均没有负阻现象,击穿电压分别达到85v和209v ,由此得到4h - sicmesfet最大功率密度可达到19 . 22w mm ;同时,研究了sic场效应晶体管的制作工艺,初步得到了一套制造sicmosfet器件的制造工艺流程,研制出了4h - sicmosfet器件。
- 用制造工艺流程造句挺难的,這是一个万能造句的方法
其他语种
- 制造工艺流程的英语:manufacturing process flow