分子束外延造句

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和化学气相淀积工艺相反，虽然在操作中对于固体砷还是必须非常小心掌握，但是，分子束外延不需要庞大的安定保险装置。
分子束外延薄膜的应变弛豫
的分子束外延生长
分子束外延生长高应变单量子阱激光器
采用分子束外延设备mbe ( molecularbeamepitaxy )对所设计的应变量子阱结构激光器进行晶体生长。
2 .研究了包括400下分子束外延法生长100nm的低温硅层的各外延层生长技术。
目前，金属有机气相沉积( mocvd ) 、分子束外延( mbe )和氢化物气相外延( hvpe )等方法已经成为制备gan的主流工艺，其中mocvd使用的最为广泛。
本文开展的主要工作和结果有： ( 1 )研究了自组织量子点的生长方法，利用分子束外延技术( mbe )生长出高质量的inas自组织量子点。
目前gan的外延生长技术一般采用有机金属化学气相外延法( mocvd ) ，在蓝宝石衬底的( 0001 )面上外延生长gan材料，另外还有分子束外延技术( mbe )及卤化物汽相外延技术( hvpe )等。
本文研究了在gaas和gap衬底上，本征型和n型al掺杂zns基单晶薄膜的分子束外延生长，获得了高质量的单晶外延薄膜。
用分子束外延造句挺难的，這是一个万能造句的方法
为了获得高质量的氧化锌薄膜材料，人们已采用分子束外延，有机化学汽相沉积，脉冲激光沉积，磁控溅射等各种技术来制备氧化锌薄膜材料。
-提供薄膜制备微粉制备真空冶金分子束外延磁控溅射化学气相沉积电子束镀膜激光镀膜甩带机磁控电弧炉空间环境模拟等设备
随着薄膜科学与技术的发展，各种薄膜制备方法得到了迅速发展，传统的所谓镀膜，已从单一的真空蒸发发展到包括蒸镀、离子镀、溅射镀膜、化学气相沉积( cvd ) 、 pecvd 、 mocvd 、分子束外延( mbe ) 、液相生长、微波法及微波电子共旋( mwecr )等在内的成膜技术。其中电子束蒸发技术是一种常用的薄膜制备技术，它具有成膜质量高，速率可控性好，通用性强等优点。
在实验上已经用分子束外延和金属有机化学汽相淀积等技术对其物理性质进行了广泛的研究，而理论上的研究主要集中于研究量子线的尺寸对杂质束缚能的影响、外加电场或磁场的作用及杂质的光致电离效应。
但是受光敏层材料对写入光波长的响应限制，目前绝大部分液晶光阀都只工作在可见和红外光范围，对以分子束外延生长的zns _ x ( se _ ( 1 - x ) ) (薄膜作为光敏层，响应波长连续可调的光盲紫外液晶光阀还未见报道。
本文采用分子束外延( mbe )方法在gaas ( 001 )衬底上优化低温缓冲层生长条件制备了异质外延insb薄膜,采用原子力显微镜( afm ) 、扫描电镜( sem )与x射线双晶衍射( dcxrd )等方法研究了insb / gaas薄膜的表面形貌与结晶质量。
在实验上已经用分子束外延和金属有机化学气相沉积等技术对其物理性质进行了广泛的研究，而理论上的研究主要集中于尺寸对杂质束缚能的影响、外加电场或磁场的作用以及杂质的光致电离效应。
本论文基于激光分子束外延的基本原理,以高能电子反射为主要监测工具,对氧化物薄膜特别是铁电氧化物薄膜异质外延过程中应变行为及其控制方法进行了系统的研究,并取得了一系列有意义的结果,主要包括以下内容:利用反射高能电子衍射( rheed )的信息对薄膜结构进行分析。
Sige薄膜生长方面：在熟悉各种薄膜外延技术的基础上，采用了近年来发展较为成熟的固态源分子束外延( ssmbe ) 、气-固态源分子束外延( gsmbe ) 、超高真空化学气相淀积( uhvcvd )三种sige薄膜外延技术，在硅( 100 )衬底上外延生长了sige薄膜。
采用分子束外延技术在ito导电玻璃上低温沉积了zns _ xse _ ( 1 - x )多晶薄膜，详细研究了薄膜制备的工艺参数，在最佳沉积条件下，制备获得了晶型为立方闪锌矿，并具有( 111 )面高度定向生长结构的柱状zns _ xse _ ( 1 - x )多晶薄膜，其rms表面粗糙度最小可达1 . 2nm 。