低介电常数材料造句

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（Applied Materials）的Black Diamond作为低介电常数材料。
Black Diamond是现在使用最多的低介电常数材料。
Nanoglass是Nanopore同Honeywell推出的基于气凝胶的低介电常数材料。
这里的“K”就是介电常数，Low K就是低介电常数材料。
低介电常数材料的研究是同高分子材料密切相关的。
基于硅基高分子的低介电常数材料包括hydrogen silsesquioxane（HSQ）和methylsilsesquioxane（MSQ）。
能够满足上述特性的完美的低介电常数材料并不容易获得。
HOSP是Honeywell推出的基于有机物和硅氧化物的混合体的低介电常数材料。
SiLK是Dow Chemical开发的一种低介电常数材料，目前广泛用于集成电路生产。
因此，低介电常数材料本身的特性就直接影响到工艺集成的难易度。
用低介电常数材料造句挺难的，這是一个万能造句的方法
低介电常数材料或称low-K材料（低K材料）是当前半导体行业研究的热门话题。
Black Diamond是应用材料公司推出的基于化学气相沉积碳搀杂氧化硅的低介电常数材料。
图2是不同时期半导体工业界预计低介电常数材料在集成电路工艺中应用的前景预测。
为了解决这个问题，微电子工业将应用低介电常数材料代替传统的二氧化硅绝缘材料。
基于碳搀杂氧化硅的低介电常数材料通常使用化学气相沉积，因此同传统半导体工艺接近。
2000年4月至2001年3月在韩国济州国立大学物理系纳米薄膜材料研究室做博士后，从事用于超大规模集成电路（ULSI）的低介电常数材料研究。
新材料新设备：对半导体支撑材料如纳米材料、环氧膜塑料、硅材料、低介电常数材料、化合物等及8-12英寸制造设备、后工序设备、试验设备等加以阐述。
随着互联中导线的电阻（R）和电容（C）所产生的寄生效应越来越明显，低介电常数材料替代传统绝缘材料二氧化硅也就成为集成电路工艺发展的又一必然选择。
1990年至2002年期间，先后在中国工程物理研究院、四川大学、韩国济州国立大学从事高温高密度离子体辐射诊断技术研究、固体（晶体）材料材料制备及性质研究、光学材料及大尺寸光学元件加工技术研究和用于ULSI的低介电常数材料研究等多项工作。