三价元素造句

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由于二价元素(Mg2+、Fe2+、Zn2+)和三价元素(Al3+、Fe3+、Cr3+)相互置换，可以出现各种不同成分的矿石。
P型半导体：在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，形成P型半导体。
如半导体材料硅、锗掺入三价元素杂质可构成缺壳粒的P型半导体，掺入五价元素杂质可构成多余壳粒的N形半导体。
当只有三个价电子的三价元素如硼（boron）掺杂至硅半导体中时，硼扮演的即是受体的角色，掺杂了硼的硅半导体就是p型半导体。
（钙、镁、铁、锰），M为三价元素（铝、铁、铬），R与M的不同组合便形成了不同的石榴石亚种，有些石榴石甚至是不同组合的石榴石混合体。
例如在锗或硅晶体中掺入微量三价元素硼、铝、镓等杂质原子时，杂质原子与周围四个锗（或硅）原子形成共价结合时尚缺少一个电子，因而存在一个空位，与此空位相应的能量状态就是受主能级。
而在本征半导体中加入少量的三价元素杂质（如硼等），因为它外层只有三个电子，在与周围的半导体原子组成共价键以后会在晶体中产生一个空位，这类杂质半导体被称为空穴半导体（Ｐ型半导体）。
发现Zn和Ga都提高Y系氧化物超导体的Cu2+离子浓度，且二价元素对其性能的影响大于三价元素，但Bi系氧化物超导体则是三价元素对其性能的影响大于二价元素；提出了Bi系氧化物超导体中Cu的第九个3d电子基本处于巡游状态的论点。
在锗或硅晶体中掺入微量三价元素硼、铝、镓等杂质原子时，杂质原子与周围四个锗（或硅）原子形成共价结合时尚缺少一个电子，因而存在一个空位，与此空位相应的能量状态就是杂质能级，通常位于禁带下方靠近价带处。
：通过特殊的“扩散”制作工艺，将一块本征半导体的一半掺入微量的三价元素、变成P型半导体，而将其另一半掺入微量的五价元素、变成N型半导体，在P型半导体区和N型半导体区的交界面处就会形成一个具有特殊导电性能的薄层，这就是PN结，它对P型区和N型区中多数载流子的扩散运动产生了阻力。
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一种具有包括至少下表中所示的峰的X射线衍射图的结晶固体ITQ-31：dhkl(?)2θ(°)I/I0 8.72 10.12 vs 7.19 12.29 vw 6.17 14.32 vw 5.55 15.93 vw 4.69 18.90 w4.36 20.32 vw 3.90 22.72 m3.77 23.55 mw 3.73 23.81 w3.60 24.70 w3.43 25.94 vw 332 26.76 w3.11 28.66 vw 3.03 29.43 vw 2.91 30.65 vw 2.84 31.46 vw 2.77 32.18 w2.71 32.95 w2.64 33.81 w2.58 34.74 vw 2.39 37.50 vw 2.34 38.33 w其中vs＝很强；m＝中等；w＝弱；s＝强；mw＝中等弱；vw＝很弱，具有的化学组成，以氧化物的摩尔数表示为无水基，以下面的通式定义：通式XO2:mYO2:pZ2O3:qR:sF，其中R代表有机含氮化合物，X代表一种或多种除了锗的四价元素，Y代表锗，Z代表至少一种三价元素，F是氟，和m，p，q，s分别代表YO2、Z2O3、R和F的摩尔数，m在0.01到1的范围内，p是在0到0.5的范围内，q是在0.01到0.7的范围内，s是在0.01到0.7的范围内，和比率{(1+m)/p}是5或更多。