マイクロプラズマ造句

• 微量元素分析用の大気圧マイクロプラズマ源を開発した。
  开发了微量元素分析使用的大气压为微等离子源。
• マイクロプラズマ適用の大きな成功例として，プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）が広く知られている。
  作为微等离子体应用较大的成功例子，等离子显示器面板（ＰＤＰ）广为人知。
• また，ＩＣＰ，マイクロプラズマともにヘリウムよりアルゴンの方がＬＴＥに近いプラズマが生成されるという傾向を示した。
  另外，ＩＣＰ、微等离子体均显示了氩比氦生成的等离子体更接近ＬＴＥ的倾向。
• 直流駆動マイクロホローカソード電極によって生成したマイクロプラズマを用いて，オゾン及びＯ，ＯＨラジカルを発生させ，水処理への適用を検討した。
  本文对使用直流驱动微型阴极电极生成的微等粒子体来产生臭氧以及Ｏ、ＯＨ原子团、以及其在水处理中的适用性进行了研究。
• 高速ガス流と，マイクロプラズマの組み合わせにより，放電部で生成されたＯラジカルを直接水と反応させ，短寿命のＯラジカルを直接処理水と反応させた。
  通过组合高速气流与微等离子体，使产生在放电部的Ｏ原子团与直接水反应，并且使寿命短的Ｏ原子团与直接处理水进行反应。
• これまで，微細ガス流によるマイクロプラズマ生成に関して，そのプラズマ自体の特性あるいはプラズマ利用に関して論じたものはあるが，プラズマを生成する側の電源回路に主眼をおいて論じられた例はない。
  此前，关于基于微细气体流的微等离子体生成，人们讨论的是等离子体本身的特性或与等离子体利用相关的内容，没有重点讨论等离子体生成端的电源电路。
• 微細ガス流によるマイクロプラズマは，エッチングを目的としたプラズマジェット源，選択的なＳｉ酸化膜やカーボンナノチューブ等の膜形成や材料の改質を目的としたプラズマ源，そして殺菌?脱臭等を目的としたマイクロオゾン発生源等への応用が期待されている。
  基于微细气体流的微等离子体有望应用于以蚀刻为目的的等离子体射流源，以选择性的Ｓｉ氧化膜和碳纳米管等膜形成和材料改性为目的的等离子体源，以及以杀菌·除臭等为目的的微臭氧发生源等。
• 次世代産業応用技術として，現在，マイクロガス分析，マイクロプラズマジェットによるフォトレジストの除去，受光デバイスへの応用，シリコン酸化膜形成への応用，カーボンナノチューブ形成への応用，オゾン生成への応用等の研究成果が発表されている。
  作为新一代产业应用技术，目前，微气体分析、利用微等离子体射流的光刻胶的去除、在光接收元件中的应用、在硅氧化膜形成中的应用、在碳纳米管形成中的应用，以及在臭氧生成中的应用等研究成果已经发表。
• これらの電子密度よりＬＴＥ（ｌｏｃａｌ　ｔｈｅｒｍｏｄｙｎａｍｉｃ　ｅｑｕｉｌｉｂｒｉｕｍ，局所熱平衡状態）を仮定してＳａｈａの平衡式からマイクロプラズマのイオン化温度を計算すると，アルゴンでは約７３００Ｋ，ヘリウムでは約１０６００Ｋとなった。
  由这些电子密度假定ＬＴＥ（ｌｏｃａｌ　ｔｈｅｒｍｏｄｙｎａｍｉｃ　ｅｑｕｉｌｉｂｒｉｕｍ，局部热平衡状态），若由Ｓａｈａ的平衡式计算微等离子体的电离温度，氩为７３００Ｋ、氦为１０６００Ｋ。
• 励起温度とイオン化温度の差を比較すると，アルゴンＩＣＰでは１４００Ｋであるのに対し，アルゴンマイクロプラズマでは約４０００Ｋ，ヘリウムマイクロプラズマでは約８０００Ｋであることから，マイクロプラズマはＩＣＰよりもＬＴＥから離れた状態にあると推定できる。
  如果比较激发温度和电离温度的差异，尽管氩ＩＣＰ为１４００Ｋ，而由于存在氩微等离子体约为４０００Ｋ、氦微等离子体约为８０００Ｋ的情况，由此可以推断微等离子体为比ＩＣＰ更远离ＬＴＥ的状态。
• 励起温度とイオン化温度の差を比較すると，アルゴンＩＣＰでは１４００Ｋであるのに対し，アルゴンマイクロプラズマでは約４０００Ｋ，ヘリウムマイクロプラズマでは約８０００Ｋであることから，マイクロプラズマはＩＣＰよりもＬＴＥから離れた状態にあると推定できる。
  如果比较激发温度和电离温度的差异，尽管氩ＩＣＰ为１４００Ｋ，而由于存在氩微等离子体约为４０００Ｋ、氦微等离子体约为８０００Ｋ的情况，由此可以推断微等离子体为比ＩＣＰ更远离ＬＴＥ的状态。
• 励起温度とイオン化温度の差を比較すると，アルゴンＩＣＰでは１４００Ｋであるのに対し，アルゴンマイクロプラズマでは約４０００Ｋ，ヘリウムマイクロプラズマでは約８０００Ｋであることから，マイクロプラズマはＩＣＰよりもＬＴＥから離れた状態にあると推定できる。
  如果比较激发温度和电离温度的差异，尽管氩ＩＣＰ为１４００Ｋ，而由于存在氩微等离子体约为４０００Ｋ、氦微等离子体约为８０００Ｋ的情况，由此可以推断微等离子体为比ＩＣＰ更远离ＬＴＥ的状态。
• 測定された電子密度は，アルゴンマイクロプラズマでは１１００Ｗで生成されたアルゴンＩＣＰの２．６×１０＾｛１５｝ｃｍ?３の半分以下であったが，ヘリウムマイクロプラズマでは１１００Ｗで生成されたヘリウムＩＣＰの４．２×１０＾｛１３｝ｃｍ?３の４倍以上の値となった。
  所测量的电子密度为，氩微等离子体中１１００Ｗ下生成的氩ＩＣＰ２．６×１０＾｛１５｝ｃｍ－３值的一半以下，而氦微等离子体中１１００Ｗ下生成的氦ＩＣＰ４．２×１０＾｛１３｝ｃｍ－３的４倍以上。
• 測定された電子密度は，アルゴンマイクロプラズマでは１１００Ｗで生成されたアルゴンＩＣＰの２．６×１０＾｛１５｝ｃｍ?３の半分以下であったが，ヘリウムマイクロプラズマでは１１００Ｗで生成されたヘリウムＩＣＰの４．２×１０＾｛１３｝ｃｍ?３の４倍以上の値となった。
  所测量的电子密度为，氩微等离子体中１１００Ｗ下生成的氩ＩＣＰ２．６×１０＾｛１５｝ｃｍ－３值的一半以下，而氦微等离子体中１１００Ｗ下生成的氦ＩＣＰ４．２×１０＾｛１３｝ｃｍ－３的４倍以上。