コレクタ造句

• 溶接ヒュームコレクタの吸引速度とヒューム抑制効果に関する研究を行った。
  开展了与焊接烟尘收集速度和烟尘抑制效果相关的研究。
• 以下，ニューロタガーとルールベースコレクターについてそれぞれ詳しく述べる．
  下面，分别详细叙述神经网络和规则基础收集器。
• 最大コレクター不純物濃度と最大Ｋｉｒｋ電流密度はすべてδ不純物層に依存する。
  最大集电极掺杂浓度和最大Ｋｉｒｋ电流密度都依赖于δ掺杂层．
• 溶接ヒュームコレクタの吸引速度とヒューム抑制効果に関する研究
  关于焊接烟尘收集速度与烟尘控制效果的研究
• 伸縮性ニューロタガーとルールベースコレクターで構成される統合品詞タグづけシステムを提案した．
  提案出了由伸缩性神经网络与规则基础收集器构成的合并词类标签。
• コレクターは中心部にディスク状のハブを有し，ワイヤ又はエレメントがハブから放射状に拡がっている。
  集电器在中心部位有一个盘状的毂，电线或者元件从毂呈放射状扩散。
• アーク溶接作業に係わる粉塵障害防止対策には，溶接ヒューム吸引トーチを使用したヒュームコレクタによる方法がある。
  防止电弧焊作业引起的粉尘危害对策中有一种通过使用吸收焊接烟尘的焊枪来收集烟尘的方法。
• ベース層，コレクタ層をＳｉＧｅエピタキシャル層で形成することを除いて，Ｓｉバイポーラトランジスタと同一のプロセスを用いられる。
  除了在ＳｉＧｅ外延层形成基层和集电极层外，采用与Ｓｉ双极晶体管相同的工艺。
• そして，ルールベースコレクターが微調整のチューナとしてニューロタガーの出力を必要に応じて修正し，最終的に品詞を決定する．
  并且，规则基础收集器作为微调整的调谐器对应神经网络的输出进行修正，决定出最终的词类。
• 提案する統合システム（図１）は主タグづけ器としてのニューロタガーと後処理としてのルールベースコレクターから構成される．
  提案的合并系统（图１）是由作为主要标签添加器的神经网络和作为后处理的规则基础收集器构成的。
• まず，Ｓｉ基板上にコレクタ埋め込み層（ｎ＋　ｂｕｒｉｅｄ　Ｌａｙｅｒ）を形成し，Ｓｉエピタキシャル層を堆積後，素子分離を行う。
  首先，在Ｓｉ基板上形成集电极埋入层（ｎ＋　ｂｕｒｉｅｄ　Ｌａｙｅｒ），堆积Ｓｉ外延层后，进行元件分离。
• ニューロタガーの以上のような弱点を補うために，書き換え規則に基づく修正器（ここでルールベースコレクターと呼ぶ）を後処理として導入する．
  为了补充神经网络的以上的弱点，把基于重写规则的修正器（这里成为规则基础收集器）作为后处理，导入。
• 一方，ルールベースコレクターはニューロタガーが獲得困難な規則を誤り駆動型学習で自動獲得し，ニューロタガーが生じたエラーを修正する．
  一方面，规则基础收集器，把神经网络获得困难的规则以错误驱动型学习的方式进行自动的获取，修正神经网络产生的错误。
• 図２は２００２年度の主要学会で報告されたＳｉＧｅ　ＨＢＴの遮断周波数（ｆＴ）とコレクタエミッタ間耐圧（ＢＶＣＥＯ）の相関を示す。
  图２表示在２００２年度的主要学会上报告的，ＳｉＧｅ　ＨＢＴ的遮断频率（ｆＴ）与集射极间耐压（ＢＶＣＥＯ）的关系。
• ベース電流及びコレクタ電流のｉｄｅａｌｉｔｙ　ｆａｃｔｏｒはそれぞれ１．１５，１．０８で，電流増幅率（ｈＦＥ）は約３００が得られている。
  基电流和集电极电流的ｉｄｅａｌｉｔｙ　ｆａｃｔｏｒ分别是１．１５，１．０８，电流放大率（ｈＦＥ）约３００。
• 次にベース電流が入力となること，コレクタと節点Ｖｍ間の電圧が出力となること，これらの電流，電圧が因果関係をなすこと，電圧利得が高いことを加えている．
  接下来添加如下情况：基极电流成为输入，集电极和接头Ｖｍ之间的电压成为输出，这些电流、电压形成因果关系，电压增益较高。
• 本論文では，ニューロタガーはすでに高い精度を持ち，ルールベースコレクターはあくまでも微調整のチューナという位置づけで用いる（すなわち，規則の生成を厳しくする）ため，重みｈを１００という大きな値に設定した．
  在本论文中，神经网络已经拥有很高的精确度，为了使规则基础收集器总是在微调整的调谐器的位置上进行应用，把重量ｈ设定为１００这个很大的值。
• 溶出液の２８０ｎｍにおける吸光度を，ＵＶ?９０００型検出器（東京理化器械製）で測定し，クロマトグラムを作成するとともに，ＲＥＤＩＲＡＣ　２１１２型フラクションコレクター（ＬＫＢ製）で分取した。
  以ＵＶ－９０００型检测器（东京理化器械生产）测量洗脱液在２８０ｎｍ处的吸光度，在作出色谱图的同时，用ＲＥＤＩＲＡＣ　２１１２型分段收集器（ＬＫＢ生产）分别收集各组分。
• そこで，Ｇ．Ａ．Ｂｕｔｔｉｇｉｅｇらはマルチコレクター型質量計を搭載した誘導結合プラズマ質量分析装置（ＭＣ?ＩＣＰＭＳ）を用いることで，簡単な前処理法によりＴＩＭＳ法と同程度の高精度同位体比測定が可能であることを報告した。
  这里，Ｇ．Ａ．Ｂｕｔｔｉｇｉｅｇ等人报告，使用多接收电感耦合等离子体质谱仪（ＭＣ－ＩＣＰＭＳ），用简单的预处理方法，可以获得与ＴＩＭＳ法同样高灵敏度的同位素比。
• リストの要素ｒｅｓｉｓｔｏｒ（ｒ１，２，１０）は節点２と節点１０につながる抵抗器ｒ１を，ｎｐｎＴｒ（ｑ１，３，５，６）はベースが節点３に，エミッタが節点５に，コレクタが節点６につながるＮＰＮトランジスタｑ１を，ｔｅｒｍｉｎａｌ（ｔ１，３）は節点３につながる外部端子ｔ１を表している．
  列表中的元素ｒｅｓｉｓｔｏｒ（ｒ１，２，１０）表示连接在接头２和接头１０之间的电阻器ｒ１，ｎｐｎＴｒ（ｑ１，３，５，６）表示基极在接头３、发射极在街头５、集电极在接头６的ＮＰＮ晶体管ｑ１，ｔｅｒｍｉｎａｌ（ｔ１，３）表示与接头３相连的外部接头ｔ１。