pn结势垒造句

• pn结势垒的厚度也与掺杂浓度和温度有关。
• 通过求解耗尽层近似下的Poisson方程，即可得到pn结势垒的高度和厚度。
• pn结势垒有一定的高度和一定的厚度，这完全由其中的空间电荷密度及其分布来决定。
• pn结势垒高度和厚度的这种变化，就使得pn结具有单向导电性和势垒电容、扩散电容等性能。
• 同时，pn结势垒高度和厚度的这种变化关系也就是决定半导体器件工作性能随着掺杂浓度和温度发生变化的根本原因。
• 而p型半导体或者n型半导体，在较高温度下都将转变为本征半导体，因此pn结就存在一个最高的工作温度，即最高结温??pn结势垒消失时的温度。
• pn结势垒的高度也就是两边半导体的热平衡Fermi能级之差；随着半导体掺杂浓度的降低和温度的提高，势垒高度也将降低；在温度高至本征激发起作用时，势垒高度即变为0。
• pn结的界面附近存在空间电荷区，该区域中有较强的所谓内建电场；内建电场对于n型半导体的电子、以及对于p半导体的空穴往对方的运动，都具有阻挡作用，这就意味著，该空间电荷区对于这些载流子而言就是一种能量势垒??pn结势垒。