mos集成电路造句

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这样，终于使MOS集成电路得到社会认可。
所以，大家对MOS集成电路的发展前途仍有很多疑虑。
图3表示了典型的硅栅N沟道MOS集成电路的制造工艺过程。
大量直拉单晶用于制造MOS集成电路、大功率晶体管等器件。
??1980年1月在国内首次研究成功用于MOS集成电路的中子嬗变掺杂硅单晶。
MOS集成电路是以金属-氧化物-半导体（MOS）场效应晶体管为主要元件构成的集成电路。
焊接MOS集成电路最好使用储能式电烙铁,以防止由于电烙铁的微弱漏电而损坏集成电路。
从1970年开始直至1976年以后相当长的时期内，清华在国内一直保持着MOS集成电路技术的最高水平。
集成电路如果以构成它的电路基础的晶体管来区分,有双极型集成电路和MOS集成电路两类。
由MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，而由PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为CMOS-IC（Complementary MOS Integrated Circuit）。
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合著《数字集成电路设计原理与应用》,《MOS集成电路的分析与设计》书等著作，发表论文80余篇。
一般认为MOS集成电路功耗低、集成度高，宜用作数字集成电路；双极型集成电路则适用作高速数字和模拟电路。
他是公司第一个MOS集成电路开发的开拓者之一，为包括EPROM/EEPROM非易失性存储器和微控制器在内的几个产品线取得市场成功做出了贡献。
在这样的形势下，半导体车间的徐葭生同志带领十几个中青年教师，从1970年开始，毅然投入了我国MOS集成电路研究开发与应用推广的事业。
MOS集成电路又分为PMOS(P-channel Metal Oxide Semiconductor，P沟道金属氧化物半导体)、NMOS(N-channel Metal Oxide Semiconductor，N沟道金属氧化物半导体)和CMOS(Complement Metal Oxide Semiconductor，复合互补金属氧化物半导体)等类型。
当时,国外MOS电路发展很快，与双极型电路相比，MOS集成电路具有电路简单、功耗低、集成度高的优势，而国内MOS集成电路技术的研究开发上还存在不少困难。
此外，还发展了不同的MOS集成电路结构的MOSIC：如浮栅雪崩注入MOS（FAMOS）结构，用于可擦写只读存贮器；扩散自对准MOS（DMOS）结构和V型槽MOS结构等，可满足高速、高电压要求。
北京大学微电子学研究所是我国硅栅NMOS集成电路技术的发源地，七十年代在国内首先研制成功硅栅N沟道1024位动态随机存储器，为我国MOS集成电路产业的发展作出了重大贡献。
一般说来，双极型集成电路优点是速度比较快，缺点是集成度较低,功耗较大；而MOS集成电路则由于MOS器件的自身隔离，工艺较简单，集成度较高,功耗较低，缺点是速度较慢。
在国际上首先提出了MOS反型层载流子表面粗糙度散射理论，在MOS集成电路进入深亚微米阶段后，这一机理已成为决定MOS反型层载流子迁移率的主要因素，这是对MOS器件物理的一大发展。