空乏的日文

• 困窮している.
  头脑空乏／頭が空っぽだ.

• "空"日文翻译    【熟語】得空,填 tián 空,偷 tōu 空,闲空,钻 zuān 空...
• "乏"日文翻译    （1）乏しい.欠けている.少ない.…がない. 等同于(请查阅)乏味. ...
• "空乏(的)" 日文翻译 :    まずしくてとぼしい 貧 しくて乏 しい
• "空乏層" 日文翻译 :    くうぼうそう过渡层，耗尽层。
• "空乏層容量" 日文翻译 :    くうぼうそうようりょう耗尽层电容。
• "コレクタ空乏層" 日文翻译 :    集电极耗荆层
• "空乏層広がり効果" 日文翻译 :    くうぼうそうひろがりこうか耗尽层宽度调制效应，尔来效应。
• "空之色，水之色" 日文翻译 :    そらのいろ、みずのいろ
• "空之境界" 日文翻译 :    空の境界
• "空串" 日文翻译 :    エンプティストリングくうれつくうのれつくうはくストリング
• "空中鬼" 日文翻译 :    kong1zhong1gui3 酸性雨
• "空也念仏" 日文翻译 :    口念佛经手敲葫芦丄铜钲的舞蹈
• "空中飞的鸟群" 日文翻译 :    かせ１巻き

• ここで，Ｑｓ及びＱＢはそれぞれ反転層中のキャリア電荷密度及びチャネル空乏層中の電荷密度，εＳはＳｉの誘電率，ηは定数で電子及び正孔ではそれぞれ２及び３である。
  其中，Ｑｓ和ＱＢ分别是反转层中的载体电荷密度和通道空乏层中的电荷密度，εＳ是Ｓｉ的电容率，η是常数，电子和正孔分别是２和３。
• ここで，Ｑｓ及びＱＢはそれぞれ反転層中のキャリア電荷密度及びチャネル空乏層中の電荷密度，εＳはＳｉの誘電率，ηは定数で電子及び正孔ではそれぞれ２及び３である。
  其中，Ｑｓ和ＱＢ分别是反转层中的载体电荷密度和通道空乏层中的电荷密度，εＳ是Ｓｉ的电容率，η是常数，电子和正孔分别是２和３。
• 図１に示すように，結晶粒界を一種の接合と見なし，粒界に角周波数ωの微小ａｃ電圧を印加すると，粒界空乏層内のフェルミ準位が１／ωの速度で粒界準位Ｅｇｂの上下を変調することになる。
  如图１所示，把晶界看做一种结，向晶界加载角频率为ω的微小ａｃ电压后，晶界空穴层内的费米能级将以１／ω的速度在晶界态Ｅｇｂ的上下调整。
• 特に，部分的に空乏層を持つＰＤ（Ｐａｒｔｉａｌｌｙ　Ｄｅｐｌｅｔｅｄ）ＳＯＩでは，ボディに端子を設けてトランジスタごとにボディ電位を制御できるという特徴をもつ．
  特别是，在部分持有耗尽层的ＰＤ（Ｐａｒｔｉａｌｌｙ　Ｄｅｐｌｅｔｅｄ）ＳＯＩ上，具有这一特征：它可以在主体上设计端子，然后通过每个半导体管来控制主体电位。
• その後，表面酸化膜を除去後，薄膜の完全空乏型（ＦＤ：ｆｕｌｌｙ―ｄｅｐｌｅｔｅｄ）ひずみＳＯＩ素子の作製時には，直接ひずみＳｉ層をエピタキシャル成長させる（図４―（４）（ａ））。
  然后，除去表面氧化膜后，在制作薄膜的完全空乏型（ＦＤ：ｆｕｌｌｙ―ｄｅｐｌｅｔｅｄ）应变ＳＯＩ元件时，直接使应变Ｓｉ层外延成长（图４―（４）（ａ））。
• その後，表面酸化膜を除去後，薄膜の完全空乏型（ＦＤ：ｆｕｌｌｙ―ｄｅｐｌｅｔｅｄ）ひずみＳＯＩ素子の作製時には，直接ひずみＳｉ層をエピタキシャル成長させる（図４―（４）（ａ））。
  然后，除去表面氧化膜后，在制作薄膜的完全空乏型（ＦＤ：ｆｕｌｌｙ―ｄｅｐｌｅｔｅｄ）应变ＳＯＩ元件时，直接使应变Ｓｉ层外延成长（图４―（４）（ａ））。
• 一方，厚膜の部分空乏型（ＰＤ：　ｐａｒｔｉａｌｌｙ―ｄｅｐｌｅｔｅｄ）ＳＯＩ構造実現（図４―（４）（ｂ））のためには，ひずみＳｉ層形成前に第二のＳｉＧｅ層（Ｇｅ濃度はＳＧＯＩと同じ）を形成すればよい。
  另一方面，为实现厚膜的部分空乏型（ＰＤ：　ｐａｒｔｉａｌｌｙ―ｄｅｐｌｅｔｅｄ）ＳＯＩ构造（图４―（４）（ｂ）），只要在形成应变Ｓｉ层前，形成第二个ＳｉＧｅ层（Ｇｅ浓度与ＳＧＯＩ相同）即可。
• 一方，厚膜の部分空乏型（ＰＤ：　ｐａｒｔｉａｌｌｙ―ｄｅｐｌｅｔｅｄ）ＳＯＩ構造実現（図４―（４）（ｂ））のためには，ひずみＳｉ層形成前に第二のＳｉＧｅ層（Ｇｅ濃度はＳＧＯＩと同じ）を形成すればよい。
  另一方面，为实现厚膜的部分空乏型（ＰＤ：　ｐａｒｔｉａｌｌｙ―ｄｅｐｌｅｔｅｄ）ＳＯＩ构造（图４―（４）（ｂ）），只要在形成应变Ｓｉ层前，形成第二个ＳｉＧｅ层（Ｇｅ浓度与ＳＧＯＩ相同）即可。
• ＶＢＩＣ（ｖｅｒｔｉｃａｌ　ｂｉｐｏｌａｒ　ｉｎｔｅｒ―ｃｏｍｐａｎｙ）によるＨＢＴマルチ電圧配置下のＳパラメータシミュレーションにおける精度問題に対して、ＧａＡｓベースＨＢＴ集電区において電圧変化によるキャリア速度と空乏層厚みへ影響を考慮し、外部電圧変化による集電区交差時間方程式を構築した。
  针对ＶＢＩＣ（ｖｅｒｔｉｃａｌ　ｂｉｐｏｌａｒ　ｉｎｔｅｒ―ｃｏｍｐａｎｙ）模型对ＨＢＴ多电压偏置下Ｓ参数拟合不够准确的问题，考虑了ＧａＡｓ基ＨＢＴ集电区载流子速度和耗尽层宽度随电压的变化关系，建立了随外加电压变化的集电区渡越时间方程．

• 空乏的泰文
• 空乏的英语：(穷困) destitute
• 空乏的俄语：pinyin:kòngfá 1) обеднеть, впасть в нищету; нуждающийся, бедный; бедность, нищета 2) ставить в бедственное положение, приводить к нищете
• 空乏什么意思：kōngfá ①穷困。 ②空虚而乏味：～的生活。
• 空乏の英語空乏 depletion[電情]