ドレイン領域中文是什么意思

发音:

用"ドレイン領域"造句"ドレイン領域"中国語の意味

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漏极区

"ドレイン"中文翻译漏极（电）；排水（沟、管）；下水道；暗沟；涵洞；排水沟
"領域"中文翻译りょういき 0 領域【名】领域;范围
"サステイン領域" 中文翻译 : 保持区
"ドレイン" 中文翻译 : 漏极（电）；排水（沟、管）；下水道；暗沟；涵洞；排水沟
"ドレイン口" 中文翻译 : 排泄口
"ドレイン弁" 中文翻译 : 排水（泄）阀；放水阀；排泄阀
"ドレイン栓" 中文翻译 : 放泄塞；排水塞
"ドレイン管" 中文翻译 : 排泄管；放出管；排流管
"ガドレイン酸" 中文翻译 : 顺（式）９－二十碳烯酸
"ドレインかん" 中文翻译 : 放出管；排泄管；排流管
"ドレインぐち" 中文翻译 : 排泄口
"ドレインせん" 中文翻译 : 放泄塞；排水塞
"ドレインべん" 中文翻译 : 排泄阀；排水（泄）阀；放水阀
"ドレインパン" 中文翻译 : 接露（托）盘；接水盘；凝结水盘
"ドレインログ" 中文翻译 : 漏记
"ドレインロス" 中文翻译 : 漏极损耗
"ドレイン出力" 中文翻译 : 漏（极）输出
"ドレイン容量" 中文翻译 : 漏极电容
"ドレイン抵抗" 中文翻译 : 漏极电阻
"ドレイン接地" 中文翻译 : 漏极接地；共漏（极）；漏（极）接地
"ドレイン接点" 中文翻译 : 漏极接点
"ドレイン損失" 中文翻译 : 漏极耗散
"ドレイン破壌" 中文翻译 : 漏极击穿
"ドレイン管路" 中文翻译 : 排水管路
"ドレイン電圧" 中文翻译 : 漏极电压

例句与用法

Ｄ?ＲＩＥによりソース，ドレイン領域及び微小流路を形成する。
通过Ｄ－ＲＩＥ形成电源、漏极领域以及微电路。
上部層には音響ＦＥＴのドレイン領域，ソース領域の流路と，チャネルを形成する障壁，負荷抵抗としての微小流路を形成している。
在上部层形成的是音频ＦＥＴ的漏极区域、源区域的回路、形成通道的障壁、以及作为负载阻抗的微回路。
ゲートに交流信号として音を入力した場合，ゲート部分のダイアフラムが振動し，ドレイン領域の圧力が入力した音と同じ周波数で変化する。
向栅极输入音频作为交流信号时，栅极部分的膜片振动，漏极区域的压力与输入的音频以相同的频率变化。
ＭＯＳ?ＦＥＴ同様，ドレイン領域の圧力変化を入力した音の圧力変化よりも大きくすることにより，音を増幅して出力することが可能になる。
与ＭＯＳ－ＦＥＴ相同，通过使漏极区域的压力变化大于输入音频的压力变化，对输出音频进行放大将成为可能。
この後，ソース，ドレイン領域に不純物イオン注入を行い，１０００℃程度の高温で短時間のＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ　Ｔｈｅｒｍａｌ　Ａｎｎｅａｌｉｎｇ）処理を行う。
然后，在源、漏区域进行杂质离子注入，在１０００℃左右的高温进行短时间的ＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ　Ｔｈｅｒｍａｌ　Ａｎｎｅａｌｉｎｇ）处理。
たとえばＭＯＳトランジスタの場合，チャネル領域からのゲートポリシリコンの最小突き出し長さだけでなく，チャネル領域からのソース?ドレイン領域の最小突き出し長さも規定されることが一般的である．
例如ＭＯＳ晶体管，一般不仅规定来自频道ｌ领域的门多晶硅的最小突出长度，还规定来自ｃｈａｎｎｅｌ领域的源极?漏极领域的最小突起长度。
まず，初期配線において，他のネットと独立してソース／ドレイン端子の初期位置を求める（図９）．続く引きはがし再配線において，ソース／ドレイン端子につながる配線が引きはがされた場合，ソース／ドレイン領域全体をソース／ドレイン端子の候補として再配線経路を求め，この経路とソース／ドレイン領域が接する場所にソース／ドレイン端子を移動する（図１０）．
首先，在初期布线中，与其他的网分开求出源极／漏极终端的初期位置（图９）。在持续的撕下再布线中，撕下与源极／漏极终端相连的布线的情况下，将整个源极／漏极区域作为候补的源极／漏极终端从而求得重新布线路径，将源极／漏极终端移动到该路径和源极／漏极终端所连接的地方（图１０）。
まず，初期配線において，他のネットと独立してソース／ドレイン端子の初期位置を求める（図９）．続く引きはがし再配線において，ソース／ドレイン端子につながる配線が引きはがされた場合，ソース／ドレイン領域全体をソース／ドレイン端子の候補として再配線経路を求め，この経路とソース／ドレイン領域が接する場所にソース／ドレイン端子を移動する（図１０）．
首先，在初期布线中，与其他的网分开求出源极／漏极终端的初期位置（图９）。在持续的撕下再布线中，撕下与源极／漏极终端相连的布线的情况下，将整个源极／漏极区域作为候补的源极／漏极终端从而求得重新布线路径，将源极／漏极终端移动到该路径和源极／漏极终端所连接的地方（图１０）。