オン抵抗中文是什么意思

• 正向电阻；通态电阻

• "オン"中文翻译    (英) on 在...之上;打开电气等;[广电]置于麦克风的正面
• "抵抗"中文翻译    抵抗する.反抗する. 抵抗言论镇压／言論の弾圧に抵抗する. 敌人没有抵...
• "リボン抵抗" 中文翻译 :    带状编织电阻
• "カーボン抵抗" 中文翻译 :    碳质电阻
• "テブナン抵抗" 中文翻译 :    戴维南电阻
• "ドレイン抵抗" 中文翻译 :    漏极电阻
• "ノートン抵抗" 中文翻译 :    诺尔顿电阻
• "インスリン抵抗性" 中文翻译 :    胰岛素抵抗
• "カーボン抵抗器" 中文翻译 :    碳质电阻（器）
• "プルダウン抵抗" 中文翻译 :    下拉电阻（与负电压或地接通的电阻）；反偏电阻
• "キャビテーション抵抗" 中文翻译 :    抗空泡性
• "コンポジション抵抗器" 中文翻译 :    合成电阻器；碳质电阻器
• "ボロカーボン抵抗器" 中文翻译 :    硼碳电阻器
• "抵抗" 中文翻译 :    抵抗する.反抗する. 抵抗言论镇压／言論の弾圧に抵抗する. 敌人没有抵抗就投降 tóuxiáng 了／敵は抵抗もせずに降服した. 增强对疾病 jíbìng 的抵抗力／病気に対する抵抗力を強める.
• "オン" 中文翻译 :    (英) on 在...之上;打开电气等;[广电]置于麦克风的正面
• "に抵抗" 中文翻译 :    抵抗；耐得住；压制；抗拒；忍住；抵御；抵制；抗击；争论；争端；争执；对抗；经得起；忍耐；盘驳；讼；争议；纷争；党争；衅端；辩驳；纠纷；茎；起源于；阻止；船首；血统；摘掉茎；产生；缠绕茎；地下茎；竹鞭；竹编；烟袋杆儿；草质茎；攀缘茎；棵子；直立茎；地上茎；木质茎；抗御；顽抗；捍拒；抗暴；鼎立
• "体抵抗" 中文翻译 :    たいていこう体电阻。
• "全抵抗" 中文翻译 :    ぜんていこう总阻力。〈电〉总电阻。
• "内抵抗" 中文翻译 :    ないていこう内(电)阻。内阻力。
• "動抵抗" 中文翻译 :    どうていこう动阻力。
• "抵抗体" 中文翻译 :    ていこうたい电阻(器)。
• "抵抗力" 中文翻译 :    ていこうりょく 抵 抗 力
• "抵抗器" 中文翻译 :    电阻器
• "抵抗損" 中文翻译 :    ていこうそん电阻损耗。
• "抵抗比" 中文翻译 :    ていこうひ电阻比。

• さらに温度が高くなるにつれ，４００Ａより小さい電流でもＳＢＤより低オン抵抗になる。
  而且随着温度的升高，在比４００Ａ更小的电流下也可实现低于ＳＢＤ的导通电阻。
• 図８は４Ｈ?ＳｉＣユニポーラデバイスの耐圧とオン抵抗ＲｏｎＳの理論限界を示した図で，室温の値は（１）式より算出した。
  图８显示的是４Ｈ－ＳｉＣ单极元件的耐压和导通电阻ＲｏｎＳ的理论界限，室温值通过（１）式算出。
• この場合，全体の遅延時間を最小化するために，ドライバの遅延と配線負荷による遅延が等しくなるようにドライバのオン抵抗を求める．
  这种情况下为了使所有的滞后时间最小化并使驱动器的滞后和配线负荷引起的滞后相等，求出驱动器的闭合电阻。
• このようにより厳しいオン抵抗の定義に基づいて算出しても，高電流領域ではＳｉＣｐｎダイオードはＳｉＣＳＢＤよりも有利となる。
  即使像上述一样根据更严酷的导通电阻的定义进行计算，在高电流区域，ＳｉＣｐｎ二极管也比ＳｉＣＳＢＤ更有利。
• また，単位ゲートのゲート容量，オン抵抗をそれぞれＣｕｎｉｔ，Ｒｕｎｉｔとして，ドライバとレシーバのゲート幅の単位ゲートに対する倍率をＮとすると，次式を得る．
  另外单位网关的网关容量、闭合电阻分别为Ｃｕｎｉｔ，Ｒｕｎｉｔ，驱动器和接收器的出口宽度的单位出口的倍率为ｎ时，可得下式。
• １５０℃ではより厳しい側の２．０乗の場合でも４００Ａ以上の電流で本平型ｐｎダイオードを使用すればＳｉＣＳＢＤよりオン抵抗が低くなることがわかる。
  研究表明，如果是１５０℃，即使是更为严酷的２．０次方的场合，在４００Ａ以上的电流下使用扁平型ｐｎ二极管，即可实现比ＳｉＣＳＢＤ更低的导通电阻。
• こうしたケースでは，極端に大きなドライバが選択されたりＲｓｓが負に計算されたりしたため，ここでは，オン抵抗がＲｕｎｉｔ／２５６以下となるケースについては解析対象から外した．
  这样的事例中因为极端地选择大型的驱动器，Ｒｓｓ计算为负值等，这里闭合电阻为Ｒｕｎｉｔ／２５６以下的范例将不作为解析对象。
• よって（１）式から求めた伝導度変調がない場合のオン抵抗と比べて，試作したダイオードチップのオン抵抗は１／２０程度と小さく，十分な伝導度変調が起こっていると考えられる。
  因此，与通过（１）式求出的无传导率解调时的导通电阻相比，试制的二级管芯片的导通电阻仅为１／２０左右，研究者认为发生了充分的传导率解调。
• よって（１）式から求めた伝導度変調がない場合のオン抵抗と比べて，試作したダイオードチップのオン抵抗は１／２０程度と小さく，十分な伝導度変調が起こっていると考えられる。
  因此，与通过（１）式求出的无传导率解调时的导通电阻相比，试制的二级管芯片的导通电阻仅为１／２０左右，研究者认为发生了充分的传导率解调。
• 設計方針２：配線のＲＣ負荷に応じてドライバのオン抵抗を調整し，レシーバの入力ゲートにおける電位ＶｏＬからＶｏＨに至る立上り時間を目標値ｔｒにできるドライバのオン抵抗を求める．
  设计方针２：应配线的ＲＣ负荷，调整驱动器的闭合电阻，求出接收器输入ｇａｔｅ的电位由Ｖｏｌ到Ｖｏｈ的时间达到ｔｒ目标值时的驱动器的闭合电阻。