绝缘体的日文

• さらに，静耐圧の実験結果によれば，繰り返し電圧パルスを加えていると，ときどき気紛れに絶縁破壊電圧が異様に低くなり，次の瞬間何事も無かったようにもとの高い絶縁破壊電圧にもどるという結果も報告されている。
  进而，根据静耐压的实验结果，如反复加强电压脉冲，有时介质击穿电压会变得异常低，但也有报告结果表明，瞬间可以变回原来的比较高破坏绝缘体电压。
• その水準変換値は，配線層間誘電体を積層していない場合について，本手法の配線構造に対応する配線容量値を配線構造パラメータで表した解析式（１）および（２）を考慮して表１のように決めた．
  那个水准变换值，对于导线层间的绝缘体没有层叠的情况，本方法的导线构造对应的导线容量值用导线构造参数表示的解析式（１）以及解析式（２）来考虑，像表１那样来决定。
• 複合がい管内に封入されたＳＦ６ガスは，図５に示すように複合がい管やケーブル絶縁体を通して外部へ抜けるとともに，空気はポリマーがい管内の空間に入り込み，結果として碍管内の気体組成は変化することとなる。
  注入到复合绝缘管内的ＳＦ６气体，如图５所示，在通过复合绝缘管或电缆绝缘体泄漏到外部的同时，空气也进入聚合物绝缘管内的空间，结果导致绝缘管内的气体组成发生变化。
• 一方，ＣＶ線路も経年設備が増え，終端接続部のプレモールド絶縁体表面に析出物発生やケーブル部の細り，導体接続の接触不良による局部温度上昇，シリコーン油中の可燃性ガス発生などの劣化現象も散見されるようになった。
  另一方面，ＣＶ线路中的劣化设备也在增加，因终端连接部位的模压成型绝缘体表面产生析出物或电缆部过细、导体连接接触接触不良导致局部温度上升、在硅酮油中产生可燃性气体等劣化现象也随处可见。
• 代表的な銅酸化物超伝導体であるＬａ２?ｘＳｒｘＣｕＯ４（Ｌａ２１４系）においては，母物質のＬａ２ＣｕＯ４は反強磁性絶縁体で，Ｌａ３＋をＳｒ２＋で置換することでＣｕＯ２面にホールキャリアーが入り，超伝導が起こる。
  在代表性的铜氧化物超导体－－Ｌａ２－ｘＳｒｘＣｕＯ４（Ｌａ２１４类）中，母物质Ｌａ２ｃｕｏ４为反强磁性绝缘体，通过把Ｌａ３＋置换为Ｓｒ２＋，空穴载流子进入ＣｕＯ２面，引起超导现象。
• すなわち，平行平板間に面積Ｓ，厚さｄ１，ｄ２，誘電率＿１，　＿２を持つ２つの誘電体がある場合，平行平板容量Ｃは，式＠ｅｑｕａｔｉｏｎ＿０＠で表されるが，Ｓを変化させても，平行平板容量Ｃからはｄ１，ｄ２を分離できない．
  也就是说，平行平板间面积Ｓ，厚度ｄ１，ｄ２，拥有电容率＿１，＿２两个绝缘体的时候，平行平板容量Ｃ，虽然用式子＠ｅｑｕａｔｉｏｎ＿０＠表示，但即使变化Ｓ，也不能从平行平板容量中分离出ｄ１，ｄ２。
• カソードセパレータのリブ部に電流センサを埋め込み，ＭＥＡとの接触部以外は絶縁物でおおい，リード線に抵抗を接続して，その後締め付け板に接続し，このリード線に流れる電流をＴＥＫＴＲＯＮＩＸ製の直流電流プローブＡＭ５０３Ｂで測定した。
  在阴极隔膜的加强筋部分嵌入电流传感器，在与ＭＥＡ的接触部分以外设置绝缘体，在导线上连接电阻，然后与紧固板连接，利用ＴＥＫＴＲＯＮＩＸ生产的直流电流探头ＡＭ５０３Ｂ测量了流过该导线的电流。
• しかしながら，この物質では超伝導が発現し始める反強磁性絶縁体からアンダードープ領域の試料が得られず，また，ＣｕＯ２面とＢｉＯ層の格子の不整合に起因する変調構造のためにＣｕＯ２面が波打っており，データの解釈に困難が生じるという問題がある。
  但是，使用该物质时，从开始出现超导的反强磁性绝缘体无法得到欠掺杂区域的试料，并且，在源于ＣｕＯ２面和ＢｉＯ层晶格失配的调制结构的影响下，ＣｕＯ２面出现起伏，存在着数据解释将出现困难的问题。
• 我々は，圧力誘起金属?絶縁体転移近傍のスピンダイナミクス，電子状態を明らかにするために，インデンターセルを用いて約１テスラの磁場中（周波数１７．００００ＭＨｚ）で０?５ＧＰａの圧力，６０ｍＫ?２０Ｋの温度で７Ｌｉ?ＮＭＲを行った。
  我们为了揭示压致金属－绝缘体转变附近的自旋反应动力学、电子态，利用压头单元，在约为１特斯拉的磁场中（频率１７．００００ＭＨｚ），在０～５ＧＰａ的压力、６０ｍＫ～２０Ｋ的温度下，进行了７Ｌｉ－ＮＭＲ的测定。
• もう１つは１気圧下で絶縁体である有機物β’?（ＢＥＤＴ?ＴＴＦ）２ＩＣｌ２について我々のキュービック?アンビルの結果は高圧下で絶縁体から金属に転移すること，さらに約７ＧＰａにすると１４．２Ｋに臨界温度を持つ超伝導体になることを発見した。
  另１个是关于１个气压下的绝缘体－－有机物β’－（ＢＥＤＴ－ＴＴＦ）２ＩＣｌ２，我们的立方压砧实现的结果显示，在高压下，该物质将从绝缘体向金属相变，我们还发现，当压力达到约７ＧＰａ时，该物质将成为临界温度为１４．２Ｋ的超导体。