クリープ中文是什么意思

• １）６００℃以下のクリープ破断では，長時間になるほど粒界に生成するクリープキャビティの生成量が多くなり，粒内のクリープ破壊からはクリープキャビティ粒界破壊領域へと移行する。
  （１）６００℃以下的蠕变破损，时间越长在晶间生成的蠕变痕的量越多，由晶内蠕变破损向蠕变痕晶间破损区域移动。
• Ｎｉ基超合金の低温?高応力条件におけるクリープ挙動は高温?低応力条件および中温?中応力条件と異なり，試験条件より合金の組織そのものに大きく依存していることが予想される。
  镍合金在低温－高应力条件下的蠕变行为不同于在高温－低应力条件及中温－中应力条件，决定于合金组织本身而不是试验条件。
• 衝撃圧縮により高濃度にもたらされる欠陥や転移は銅酸化物超伝導体に対して磁束（フラックス）のピン止め中心として働くことで，フラックスクリープを抑制できる可能性がある。
  由冲击压缩造成的高浓度所带来的缺陷和相变对于铜氧化物超导体以磁通（ｆｌｕｘ）的钉扎为中心发挥作用，有可能抑制磁通蠕动。
• そのため，クリープキャビティの粒界に沿った成長は抑制され，クリープキャビティ粒界破壊から粒内クリープ破壊，さらに高温?長時間側では粒界移動が活発化して，再結晶破断へと移行する。
  为此，蠕变痕沿晶间的成长被抑制，蠕变痕由晶界破坏向晶内蠕变破坏，且在高温、长时间时，晶间移动活跃，变为再结晶断裂。
• そのため，クリープキャビティの粒界に沿った成長は抑制され，クリープキャビティ粒界破壊から粒内クリープ破壊，さらに高温?長時間側では粒界移動が活発化して，再結晶破断へと移行する。
  为此，蠕变痕沿晶间的成长被抑制，蠕变痕由晶界破坏向晶内蠕变破坏，且在高温、长时间时，晶间移动活跃，变为再结晶断裂。
• そのため，クリープキャビティの粒界に沿った成長は抑制され，クリープキャビティ粒界破壊から粒内クリープ破壊，さらに高温?長時間側では粒界移動が活発化して，再結晶破断へと移行する。
  为此，蠕变痕沿晶间的成长被抑制，蠕变痕由晶界破坏向晶内蠕变破坏，且在高温、长时间时，晶间移动活跃，变为再结晶断裂。
• Α２相（Ｔｉ３Ａｌ）?γ相（ＴｉＡｌ）プレート層状組織ＴｉＡｌ単結晶のＰＳＴ結晶の高温クリープ変形時のγプレートのなす角φが４５°以上であるＰＳＴクリープ変形の特徴を調査した。
  我们检测了α２相（钛３铝）·γ相（ＴｉＡｌ）叠层钛铝单结晶ＰＳＴ結晶的高温蠕变时，γ层的成角φ在４５°以上的ＰＳＴ蠕変特征。
• Α２相（Ｔｉ３Ａｌ）?γ相（ＴｉＡｌ）プレート層状組織ＴｉＡｌ単結晶のＰＳＴ結晶の高温クリープ変形時のγプレートのなす角φが４５°以上であるＰＳＴクリープ変形の特徴を調査した。
  我们检测了α２相（钛３铝）·γ相（ＴｉＡｌ）叠层钛铝单结晶ＰＳＴ結晶的高温蠕变时，γ层的成角φ在４５°以上的ＰＳＴ蠕変特征。
• クリープ破壊機構領域図は，広い範囲に亘る粒内クリープ破壊，破断延性の低いクリープキャビティ粒界破壊，そして破断延性の大きい動的再結晶による再結晶ラプチャーの３領域から成る。
  蠕变破坏机构区域图由在广范围内就结晶内坏损破断延性低的蠕变空化晶间坏损，及由破断延性较大的再结晶而起的再结晶痕三部分构成。
• クリープ破壊機構領域図は，広い範囲に亘る粒内クリープ破壊，破断延性の低いクリープキャビティ粒界破壊，そして破断延性の大きい動的再結晶による再結晶ラプチャーの３領域から成る。
  蠕变破坏机构区域图由在广范围内就结晶内坏损破断延性低的蠕变空化晶间坏损，及由破断延性较大的再结晶而起的再结晶痕三部分构成。