マイクロプラズマ中文是什么意思

• 励起温度とイオン化温度の差を比較すると，アルゴンＩＣＰでは１４００Ｋであるのに対し，アルゴンマイクロプラズマでは約４０００Ｋ，ヘリウムマイクロプラズマでは約８０００Ｋであることから，マイクロプラズマはＩＣＰよりもＬＴＥから離れた状態にあると推定できる。
  如果比较激发温度和电离温度的差异，尽管氩ＩＣＰ为１４００Ｋ，而由于存在氩微等离子体约为４０００Ｋ、氦微等离子体约为８０００Ｋ的情况，由此可以推断微等离子体为比ＩＣＰ更远离ＬＴＥ的状态。
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  如果比较激发温度和电离温度的差异，尽管氩ＩＣＰ为１４００Ｋ，而由于存在氩微等离子体约为４０００Ｋ、氦微等离子体约为８０００Ｋ的情况，由此可以推断微等离子体为比ＩＣＰ更远离ＬＴＥ的状态。
• 励起温度とイオン化温度の差を比較すると，アルゴンＩＣＰでは１４００Ｋであるのに対し，アルゴンマイクロプラズマでは約４０００Ｋ，ヘリウムマイクロプラズマでは約８０００Ｋであることから，マイクロプラズマはＩＣＰよりもＬＴＥから離れた状態にあると推定できる。
  如果比较激发温度和电离温度的差异，尽管氩ＩＣＰ为１４００Ｋ，而由于存在氩微等离子体约为４０００Ｋ、氦微等离子体约为８０００Ｋ的情况，由此可以推断微等离子体为比ＩＣＰ更远离ＬＴＥ的状态。
• 測定された電子密度は，アルゴンマイクロプラズマでは１１００Ｗで生成されたアルゴンＩＣＰの２．６×１０＾｛１５｝ｃｍ?３の半分以下であったが，ヘリウムマイクロプラズマでは１１００Ｗで生成されたヘリウムＩＣＰの４．２×１０＾｛１３｝ｃｍ?３の４倍以上の値となった。
  所测量的电子密度为，氩微等离子体中１１００Ｗ下生成的氩ＩＣＰ２．６×１０＾｛１５｝ｃｍ－３值的一半以下，而氦微等离子体中１１００Ｗ下生成的氦ＩＣＰ４．２×１０＾｛１３｝ｃｍ－３的４倍以上。
• 測定された電子密度は，アルゴンマイクロプラズマでは１１００Ｗで生成されたアルゴンＩＣＰの２．６×１０＾｛１５｝ｃｍ?３の半分以下であったが，ヘリウムマイクロプラズマでは１１００Ｗで生成されたヘリウムＩＣＰの４．２×１０＾｛１３｝ｃｍ?３の４倍以上の値となった。
  所测量的电子密度为，氩微等离子体中１１００Ｗ下生成的氩ＩＣＰ２．６×１０＾｛１５｝ｃｍ－３值的一半以下，而氦微等离子体中１１００Ｗ下生成的氦ＩＣＰ４．２×１０＾｛１３｝ｃｍ－３的４倍以上。