隧穿造句

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尤其是在波包穿越势垒的时间?隧穿时间的计算上困扰了科学家近半个世纪。
论文的另一部分工作讨论有旋转的微扰作用下的bec系统的宏观量子隧穿现象。
在薄隔离层时，量子阱与量子点之间的激子转移过程由激子隧穿过程决定。
考虑量子点上的库仑相互作用，得到了电导门压的共振隧穿曲线，并讨论其物理意义。
目前，正在利用介电常数较大的材料来代替传统的sio _ 2作为栅介材料，来减少隧穿电流。
其次，本文分别研究了fn隧穿应力和热空穴( hh )应力导致的超薄栅氧化层漏电流瞬态特性。
通过对外驱动场的调控达到控制相邻阱间隧穿的目的，可以成为电子自旋输运或局域化的理论基础。
随着激光强度的增加，会出现一系列的新现象，例如多光子电离，隧穿电离，阈上电离和稳定化电离等现象。
采用双模近似，在su ( 2 )相干态表象下研究外界微扰的转动频率是固定的情况下的宏观量子相干隧穿和约瑟夫森隧穿。
首先是使用lif修饰阴极，利用它的绝缘性，提高lif中的电场强度，使lif形成的势垒变薄，使隧穿电子的几率几乎不变或变大。
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详细地分析了工作温度、栅极电压、漏源电压和磁场对其特性的影响，观测到明显的库仑阻塞效应和单电子隧穿效应，器件的工作温度可达到77k以上。
通过计算注入到氧化层中的电子能量和硅衬底的电场的关系表明，热电子注入和fn隧穿的不同可以用氧化层中电子的平均能量来解释。
此外，我们获得了由于量子隧穿导致的简并基态能级劈裂，计算了低能能谱的带宽，在此基础上讨论了玻色?约瑟夫森振荡的相干特性。
用飞秒脉冲泵浦-探测方法研究了cdse量子点znse cdznse量子阱结构在对cdznse量子阱的激子共振激发条件下激子在量子阱与量子点之间的隧穿。
采用高自旋极化率( p )的材料是产生大的隧穿磁电阻( tmr )效应的关键之一，而半金属( half - metal )铁磁材料的自旋极化率p理论上可达100 。
结果表明：双层器件的发光是载流子隧穿内界面后在两有机层中的复合发光，输运层的势垒高度对载流子电流密度、复合电流密度以及器件的复合效率影响很大。
本论文用我们自己建立的泵浦-探测系统研究了cdse量子点cdznse量子阱结构的激子隧穿和激子复合过程，以及cdse量子点中激子与声子的耦合。
通过cdse量子点znse cdznse量子阱结构在不同垒层厚度情况下的发射谱和变温激子发射谱，研究了激子隧穿过程对量子点和量子阱中激子复合的影响。
因此，采用cro _ 2 -绝缘颗粒复合的方法，以形成新的微结构来调整颗粒界面状态和隧穿势垒性质，是降低外磁场、增强外禀磁电阻效应的有效手段。
我们建立了一个由直接隧穿电导和cotunneling电导组成的网络模型，采用有效介质理论对该网络进行处理，同时还考虑了小尺寸颗粒的超顺磁行为对磁电阻的影响。