负偏压造句
例句与造句
- 工艺参数有射频功率、衬底负偏压、衬底温度和工作气压等。
- 当负偏压为200v ，功率为300w时，薄膜中立方相的含量达到92 . 8 。
- 若要得到立方氮化硼薄膜，负偏压不能低于90v ，功率不能低于200w 。
- 当负偏压为200v ,镀膜时间为10min时得到的防护膜与kapton膜的结合力最好。
- 衬底负偏压对立方氮化硼的成核和生长有十分重要的影响，存在偏压阈值，低于该值不能产生立方氮化硼。
- 用负偏压造句挺难的，这是一个万能造句的方法
- 为了得到高质量的金刚石薄膜本研究对于石英玻璃的表面进行了清洗并用了负偏压增强形核的方法。
- 在较高射频功率、基板负偏压、反应气体压强状态下制备膜层的润湿性、耐磨损性较好,而光学透过率较低。
- 关于电浆导流板之效应，藉由通在基材上放置具有负偏压之导流板可以控制电浆之流向，使原本与基材夹90 ?角成长之碳奈米管可藉此令其与基材夹45 ?角成长。
- 分析了这种现象产生的原因以及不同接地方式对沉积薄膜的影响，即当弧源接地状态不同时，要获得相似的沉积条件，给基片台施加的负偏压应有所不同。
- 机械弯折试验结果表明,沉积成膜过程中,应选择较高的气压、基板负偏压、射频功率以及适量的n掺杂来制备抗往复弯折的、耐失效性能优越的膜层。
- 研究了衬底负偏压和射频功率对制备立方氮化硼薄膜的影响立方氮化硼薄膜沉积在p型si （ 100 ） （ 8 15 cm ）衬底上，靶材为h - bn靶（纯度达99 . 99 ） ，溅射气体为氩气和氮气混合而成，制样过程中，衬底加直流负偏压。
- 为了进行上述研究,必须能够精确的控制准一维电子通道的宽度和钳断,以及精确的在2deg上激励电流,由此我们设计研发了给分裂门加负偏压和给准一维电子通道加源漏偏压的两路高精度高稳定性馈源。
- 本文采用偏压辅助射频等离子体增强脉冲激光沉积( rf - pepld )方法在常温下( 25 )制备立方氮化硼( c - bn )薄膜，初步研究了薄膜沉积参数：激光能量密度、射频功率、基底负偏压和镀膜时间对立方氮化硼薄膜生长的影响，并分析了常温下用rf - pepld方法沉积立方氮化硼薄膜的形成过程和机理。
- 实验结果表明：随着工作气压的减小，薄膜的晶粒尺寸有所减小；通过提高氢气稀释度，利用原子氢在成膜过程中起的刻蚀作用，可以稳定结晶相并去除杂相；选择适当的热丝距离能保证反应气体充分分解，又使衬底具有较高的过冷度，是形成纳米薄膜的重要条件；采用分步碳化法可以提高形核密度，有利于获得高质量的纳米- sic薄膜；衬底施加负偏压可以明显提高衬底表面的基团的活性，因负偏压产生的离子轰击还能造成高的表面缺陷密度，形成更多的形核位置。
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