发射极层造句
例句与造句
- 静电感应晶闸管SITH（Static Induction Thyristor）诞生于1972年，是在SIT的漏极层上附加一层与漏极层导电类型不同的发射极层而得到的。
- 在高浓度n型第一子集电极层(102)上，依次形成：由能带隙小的材料构成的高浓度n型第二子集电极层(108)；由i型或者低浓度n型集电极层(103)；高浓度p型基极层(104)；由能带隙大的材料构成的n型发射极层(105)；高浓度n型发射极盖体层(106)；由能带隙小的材料构成的高浓度n型发射极接触层(107)。
- 一种异质结双极型晶体管，其特征在于，具备以下各部分：高浓度n型第一子集电极层；形成于所述第一子集电极层上，且由与所述第一子集电极层相比能带隙更小的材料构成的高浓度n型第二子集电极层；形成于所述第二子集电极层的规定部分上的i型或者低浓度n型集电极层；形成于所述集电极层上的高浓度p型的基极层；形成于所述基极层上，且由与所述基极层相比能带隙更大的材料构成的n型发射极层；形成于所述发射极层上的规定部分上的高浓度n型发射极盖体层；形成于所述发射极盖体层上，且由与所述发射极盖体层相比能带隙更小的材料构成的高浓度n型发射极接触层；形成于所述发射极接触层上，且由一个或者多个导电层构成的发射极电极；形成于所述发射极层的未形成所述发射极盖体层的部分上，且由一个或者多个导电层构成的基极电极；形成于所述第二子集电极层上的未形成所述集电极层的部分上，且由一个或者多个导电层构成的集电极电极，其中，在所述发射极接触层的所述发射极电极的下侧部分，形成第一合金化反应层；在所述发射极层的所述基极电极的下侧部分，形成第二合金化反应层；在所述第二子集电极层的所述集电极电极的下侧部分，形成第三合金化反应层。
- 用发射极层造句挺难的，这是一个万能造句的方法
