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集成电路的日文

"集成电路"的翻译和解释

例句与用法

  • 建設開始前に設計/調達を行った機械類,部品を順番に組み立て,最終的にはそれらを配管で接続していく,いわばとてつもなく大きな集積回路を地面という基板に描くといったものである。
    在在建设开始前进行设计/调配的机械类,按顺序组装部件,最终利用配管将它们连接起来,可以说是在地面这样一个基板上描绘了一个巨大的集成电路
  • IPコア数が多く,ゲート規模の占める割合が大きくなるようであれば,保護機構を共有する集中/分散監視方式とすることで,超大規模集積回路においては問題とならない小規模での実現が可能である。
    如果IP核数多,门规模所占的比例变大,则通过共享保护装置的集中/分布式监视方式,超大规模集成电路也不会出现问题,能够以较小规模实现。
  • 今のところ、集積回路の大規模な応用に従って、新世代の製品の軽薄化のために技術の保障を提供して、歴史的に一時的にはやっていた携帯電話もすでに写真になって、次第に人々の記憶から薄くなっている。
    如今,随着集成电路的大规模应用,为新一代产品的轻薄化提供了技术保障,而那些在历史上曾叱咤一时的手机产品也已成为存照,并逐渐淡出人们的记忆。
  • 例えば,最新のシリコン集積回路の設計ルールは60?90nmとなっており,MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)技術でも,数十nmの機械構造が得られている。
    例如,最新的硅集成电路的设计工艺为60~90nm,利用MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)技术也能够得到几十nm的机械结构。
  • 1例の交流失圧によるCD―1集積回路主変抵抗保護誤動作事故を紹介し,主変抵抗保護誤動作を引き起こした幾つかの原因(端子配線違反、不完全な交流切り替え原理および抵抗保護中の交流電圧断線判定基準)を分析した.
    介绍了一起CD―1集成电路主变阻抗保护因交流失压而引起的误动事故,分析了该主变阻抗保护误动发生的几个原因:端子排接线的不规范、不完善的交流切换原理及阻抗保护中交流电压断线判据.
  • 半導体技術の急速な進歩にともない,民生機器,産業用機器の分野を問わず,あらゆる電子機器のコンピュータ化,集積回路化が進展し,システム全体を単一LSI+ソフトウェアとして実現するシステムLSI技術の重要性が高まっている.
    随着半导体技术的急速进步,在民生机器,产业用机器所有领域,所有的电子机器电脑化,集成电路化都在发展,实现将全体系统作为单一的LSI软件的系统LSI技术的重要性日益提高。
  • 高周波デバイスの構成素子を集積化したモノリシックマイクロ波集積回路(MMIC:Mononlithic Mixrowave Integrated Circuit)技術は,このような要望を実現するための基盤技術として期待されている。
    作为将高频器件的构成元件集成的单片微波集成电路(MMIC:Mononlithic Mixrowave Integrated Circuit)技术,可望成为满足这些要求的基础技术。
  • 更に回路の製法がプラモデル作りと同様簡単であり,平行平板内に種々の高性能回路素子をコンパクトに集積化できるというという特徴を踏まえると,NRDガイドは「高性能なミリ波回路が今欲しい」という要望に即応できる,有力なミリ波集積回路技術といえる。
    而且,电路的制作方法和塑料模型制作一样简单,能够在平行平板内集成各种高性能电路元件,利用这一特征,NRD波导能够满足“高性能的毫米波电路”的要求,可以说是非常好的毫米波集成电路技术。
  • 本論文では,配線容量を測定するTEGの実測値に基づき,膜厚,誘電率等からなる配線構造パラメータの実ウエハにおける仕上がり値を推定する手法を提案し,我々の90nm SoCプロセスに適用し,配線容量に換算しておおむね誤差1%以内の精度で複数の配線層に対する一括推定が実現できたことを示した.
    本论文中,基于测定导线容量的TEG的实测值,提出了推定由膜厚,电容率等构成的导线构造参数在实际的集成电路板上的值的方法,应用在我们的90nm程序上,换算成导线容量大概有误差在1%以内的精度,对多个导线层的一起推定得到了实现。
  • ナノCMOS部品に存在する問題に対して、集成性から考え、トップダウンのルートで、新型ダブルグリット/マルチグリット部品構造から新型非対称勾配低混入垂直チャネルダブルグリットトMOS部品および新型グリットなナノメートルMOS部品の研究開発および特性分析を紹介することで、次世代集成回路技術の部品研究に良好な方案を提供する。
    针对纳米CMOS器件存在的问题,从可集成性考虑,基于由上而下途径,从新型双栅/多栅器件结构角度介绍新型非对称梯度低掺杂漏垂直沟道双栅MOS器件以及新型围栅纳米线MOS器件的研制及特性分析,为下几代集成电路技术的器件研究提供良好的思路.
  • 更多例句:  1  2  3  4  5
用"集成电路"造句  
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