ターニング中文是什么意思

• さらに，成膜技術以外にも微細加工（マイクロマシニング）及び形状付与（パターニング）技術が大きな課題となっている。
  并且，除了成膜技术以外，微细加工（微机械加工）以及成型（图案形成）技术也成为了重大课题。
• まず，ＳＯＩウェーハの上にＬＰＣＶＤで窒化膜を成長させた後，１番目のフォトリソグラフィーとＲＩＥでパターニングをする。
  首先，利用ＬＰＣＶＤ在ＳＯＩ晶圆上生长氮化膜后，通过第１道光刻工序和ＲＩＥ形成图案。
• ＴＭＲ素子の作製には，フォトリソグラフィーによりレジストパターニングを行った後Ａｒイオンミリングにより接合を形成した。
  在ＴＭＲ元件的制作中，研究人员在进行光致抗蚀图形成后，通过Ａｒ离子刻蚀形成了隧道结。
• プロセスは，ガラスプレートをＫＯＨで洗浄した後，ニッケルを真空蒸着し，次にフォトリソグラフィーとエッチングによりＮｉをパターニングする。
  工艺过程是在用ＫＯＨ清洗玻璃板后，真空蒸镀镍，然后通过光刻和蚀刻形成Ｎｉ图案。
• 次にパターニングされた形状にそってシリコン酸化膜をバッファードフッ酸（ＢＨＦ）を用いて除去し，異方性エッチング用のマスクを作製する。
  接着，沿形成的图案，使用缓冲氢氟酸（ＢＨＦ）去除硅氧化膜，制作各向异性蚀刻用掩膜。
• ２回目のフォトリソグラフィーでパターニングしてから，深堀りＲＩＥ（ＩＣＰ?ＲＩＥ）を用いて４μｍの厚みのマイクロチャンネルを形成する。
  通过第２道光刻工序形成图案后，利用深蚀刻ＲＩＥ（ＩＣＰ－ＲＩＥ）形成４μｍ厚的微通道。
• 本研究では，Ｓｉ基板にドライ酸化（９５０℃，１０ｓｅｃ）によって成膜した２ｎｍの薄いＳｉＯ２のパターニングを行う。
  在本研究中，研究人员对在Ｓｉ基板上利用干法氧化（９５０℃，１０ｓｅｃ）成膜的仅厚２ｎｍ的ＳｉＯ２进行了图案生成。
• （３）シャッターのパターニングに使用したフォトレジストを酸素アッシングにより除去，酸化膜層をフッ酸により除去し，シャッターを可動状態にする。
  （３）利用氧灰化去除形成快门图案使用的光刻胶，利用氟酸去除氧化膜层，使快门达到可动状态。
• 常温では，エッチングに数時間かかるが，６０℃まで熱すると，約５分でパターニングが完了し，その結果，シリコン基板上に，Ｎｉ配線が製作された。
  在常温下，蚀刻需要几小时，加热至６０℃后，约５分即可完成图案形成，最终在硅基板上形成了Ｎｉ布线。
• （２）基板裏面よりアルミニウムを蒸着により堆積させた後，マイクロシャッターの支持フレーム形状にパターニングし，シリコン層を深堀ＲＩＥによりエッチングする。
  （２）通过蒸着在底板背面上沉积铝后，形成微快门支架形状的图案，通过深堀ＲＩＥ，对硅层进行蚀刻。