六方的日文

• 最初のグループは，観測される回折線の数があまり多くなくても適用可能な指数付け法で，結晶の対称性の高い，立方晶，正方晶，三方晶，六方晶に威力を発揮する。
  第一类是在观测的衍射线数量不太多时也可以使用的指数化方法，对晶体对称性高的立方晶、正方晶、三方晶，六方晶起效。
• Ｃ．Ｗ．Ｂｕｎｎは，ｃ／ａの値の変化に応じて，式（４）の右辺第１項がどのように変化するかを，正方晶用と六方晶用（三方晶兼用）にそれぞれ１枚の図表にまとめている。
  Ｃ．Ｗ．Ｂｕｎｎ把式（４）右边第１项随ｃ／ａ值变化的变形总结成了正方晶用和六方晶用（三方晶兼用）的各１张图表。
• Ｃ．Ｗ．Ｂｕｎｎは，ｃ／ａの値の変化に応じて，式（４）の右辺第１項がどのように変化するかを，正方晶用と六方晶用（三方晶兼用）にそれぞれ１枚の図表にまとめている。
  Ｃ．Ｗ．Ｂｕｎｎ把式（４）右边第１项随ｃ／ａ值变化的变形总结成了正方晶用和六方晶用（三方晶兼用）的各１张图表。
• 水垢抑制率が大きいほど水垢にの六方方解石含有量が高いことは、水垢防止剤が主に第二段階或いは第一段階で水垢を形成する過程を制御し、水垢抑制の働きをすることを示唆している。
  防垢率越大，碳酸钙垢中六方方解石含量越高，说明防垢剂主要通过将结垢过程控制在第二阶段或第一阶段而起到防垢作用．
• 水垢抑制率が大きいほど水垢にの六方方解石含有量が高いことは、水垢防止剤が主に第二段階或いは第一段階で水垢を形成する過程を制御し、水垢抑制の働きをすることを示唆している。
  防垢率越大，碳酸钙垢中六方方解石含量越高，说明防垢剂主要通过将结垢过程控制在第二阶段或第一阶段而起到防垢作用．
• 単斜晶Ｍｇ３ＭｎＨｘの水素原子位置についてはまだ解明されていないが，六方晶Ｍｇ３ＭｎＨ７と同様に，錯体［ＭｎＨｘ］ｎ?として，あるいはＭｇ格子の層間に存在していることが推測される。
  关于单斜晶Ｍｇ３ＭｎＨｘ的氢原子位置，目前还不清楚，人们推测其位置与六方晶Ｍｇ３ＭｎＨ７相同，作为络合物［ＭｎＨｘ］ｎ－存在，或是存在于Ｍｇ晶格的层间。
• 単斜晶Ｍｇ３ＭｎＨｘの水素原子位置についてはまだ解明されていないが，六方晶Ｍｇ３ＭｎＨ７と同様に，錯体［ＭｎＨｘ］ｎ?として，あるいはＭｇ格子の層間に存在していることが推測される。
  关于单斜晶Ｍｇ３ＭｎＨｘ的氢原子位置，目前还不清楚，人们推测其位置与六方晶Ｍｇ３ＭｎＨ７相同，作为络合物［ＭｎＨｘ］ｎ－存在，或是存在于Ｍｇ晶格的层间。
• ７ＧＰａ以上になると，黒鉛のダイヤモンド（六方晶を含む）への直接変換が一部始まってくることから，２０００℃以上の安定した温度発生はしだいに困難になり，１０ＧＰａ以上では，１２００℃の発生も容易ではない。
  当压力达到７ＧＰａ以上后，由于一部分石墨开始直接转换成金刚石（包括六方晶），稳定产生２０００℃以上的温度逐渐趋于困难，在１０ＧＰａ以上的压力下，产生１２００℃也不容易。
• ７ＧＰａ以上になると，黒鉛のダイヤモンド（六方晶を含む）への直接変換が一部始まってくることから，２０００℃以上の安定した温度発生はしだいに困難になり，１０ＧＰａ以上では，１２００℃の発生も容易ではない。
  当压力达到７ＧＰａ以上后，由于一部分石墨开始直接转换成金刚石（包括六方晶），稳定产生２０００℃以上的温度逐渐趋于困难，在１０ＧＰａ以上的压力下，产生１２００℃也不容易。
• さらにＦＴＩＲ，　ＸＲＤを用いて、炭酸カルシウム水垢の定性と定量分析を行ない、水垢防止剤を加えた後水垢の中で方解石以外に六方方解石とアラゴナイトも出現し、水垢抑制率は大きいほど水垢にの六方方解石含有量は高いことが分かった。
  进一步通过ＦＴ―ＩＲ，ＸＲＤ对碳酸钙垢进行了定性、定量分析，发现加入防垢剂后，垢中除方解石外，出现了六方方解石和文石，且防垢率越大，垢中六方方解石的含量越高．