偏压的日文

• 実際，外的な電位印加の刺激により，無刺激では振動が起きない界面においても界面振動を観測した。
  实际上，由于外部偏压电位的刺激，在无刺激状态下不产生振动的界面也观测到振动。
• バルクＭＯＳ　ＦＥＴでは，負の基板バイアスをボディに印可すると単調にＶｔｈが増加する．
  ｂｕｌｋＭＯＳＦＥＴ中，如果将负的交换机偏压对主体授予证明，Ｖｔｈ就单纯地增加了。
• Ｉ）について，クロックの立上がりまでにｌｏｗ―Ｖｔｈとなるように，フォワード？バイアスを与える必要がある．
  关于ｉ），需要给出前锋偏压，使得在仪表启动前变为ｌｏｗ―Ｖｔｈ。
• 直流自己バイアスは約７００Ｖであった。
  直流自偏压约为７００Ｖ。
• そこで，ゼロ？バイアスでｈｉｇｈ―Ｖｔｈとなるトランジスタを用いて，アクティブ時にはフォワード？バイアスを与える．
  因此，用零偏压下变为ｈｉｇｈ―Ｖｔｈ的晶体管，激活时给出前锋偏压。
• そこで，ゼロ？バイアスでｈｉｇｈ―Ｖｔｈとなるトランジスタを用いて，アクティブ時にはフォワード？バイアスを与える．
  因此，用零偏压下变为ｈｉｇｈ―Ｖｔｈ的晶体管，激活时给出前锋偏压。
• ?３００Ｖ以上のバイアスの場合，Ｇピークに対するＤピークの強度が増しており，ａ?Ｃの膜であることがわかる。
  对于－３００Ｖ以上的偏压，与Ｇ峰对应的Ｄ峰的强度有所增加，可知为ａ－Ｃ的膜。
• バイアス電流は中空電極から試料方向へと流れ，それに伴い中空電極からプラズマ内には多数の電子が導入される。
  偏压电流从中空电极向试料方向流动，同时，从中空电极向等离子体内导入大量的电子。
• この結果から，提案手法は固定バイアスと同等の速度を保ちつつ，リーク電力を８２％削減できることが示された．
  从结果中可知，提案方法在保持与固定偏压相等的速度的同时还可以减少８２％的漏电量。
• ＰＤ―ＳＯＩプロセスを対象とすることで，フォワード？バイアスによる１クロック期間内でのＶｔｈ制御を実現した．
  通过把ＰＤ―ＳＯＩ作为对象，实现了前锋偏压实现的在一个同步脉冲内的Ｖｔｈ控制。