主要产品有cl11聚酯膜涤纶电容器, x2y2抗干扰电容器, x2系列抑制电源电磁干扰电容器, cbb88电磁炉专用电容器和cbb防暴电容器, cbb6 - 11高温型灯具电容器, cbb60 cbb61交流电机用电容器, cl21金属化聚酯薄膜电容器, cbb21金属化聚丙烯薄膜电容器, cl20 cbb20金属化轴向电容器,盒式小型化minibox电容器,并代理飞利浦松下等品牌电容器, l . e . d发光二极管, smd .贴片二三极管。
Pzt的制备方法有很多,其中溶胶?凝胶( sol - gel )方法可以和集成电路( ic )光刻工艺相互兼容,处理温度低,有大面积涂敷性能,能精确地控制组分,无需复杂的真空设备,成本低廉,所以对于集成铁电薄膜电容的应用这种方法有很广阔的前景。本文利用sol - gel技术在掺锡的in _ 2o _ 3透明导电薄膜( ito )衬底和低阻硅衬底上成功地制备了pzt铁电薄膜。运用了x射线衍射, sawyer - tower电路和lcr电桥分别对薄膜的晶化温度,结构和电学性能进行了测试。